[发明专利]一种半导体器件温度特性测量仪器

说明书

本发明公开了一种半导体器件温度特性测量仪器，属于半导体检测技术领域。一种半导体器件温度特性测量仪器，包括箱体，还包括：固定架，固定在所述箱体内；其中，固定架上对称设有检测槽，所述检测槽内设有第一电极，所述固定架上设有两组电流表，所述电流表与第一电极电性连接；双向丝杆，转动连接在所述箱体内；其中，所述双向丝杆两端对称螺纹连接有滑块，所述滑块上设有夹持槽，所述夹持槽内设有第二电极，所述第二电极与第一电极位置相匹配，所述滑块上设有蓄电池；本发明通过抽排液机构、加热箱、导热管的设置便于保证两组检测槽具有相同的温度，电流表的设置便于直观观察半导体器件样品和标准件的温度特性的差异。

技术领域

本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种半导体器件温度特性测量仪器。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。

单晶硅棒在生产后需要进行切割、打磨、抛光等加工，再用作生产电器元件，切割后的单晶硅块一般需要进行抽样并对样品进行电性检测。

温度可以影响半导体的导电性能，在半导体器件生产完成后需要进行抽样检测其温度特性，现有的半导体温度特性检测设备不便于直观的观测温度变化对半导体器件导电能力的影响。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中半导体温度特性检测设备不便于直观的观测温度变化对半导体器件导电能力的影响的问题，而提出的一种半导体器件温度特性测量仪器。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种半导体器件温度特性测量仪器，包括箱体，还包括：固定架，固定在所述箱体内；其中，固定架上对称设有检测槽，所述检测槽内设有第一电极，所述固定架上设有两组电流表，所述电流表与第一电极电性连接；双向丝杆，转动连接在所述箱体内；其中，所述双向丝杆两端对称螺纹连接有滑块，所述滑块上设有夹持槽，所述夹持槽内设有第二电极，所述第二电极与第一电极位置相匹配，所述滑块上设有蓄电池，所述蓄电池与第二电极之间电性连接；导热管，位于所述检测槽内；抽排液机构，位于所述箱体内；其中，所述抽排液机构的输入端连接有加热箱，所述加热箱内设有导热介质和加热机构，所述加热箱与导热管之间连接有导管；驱动机构，用以驱动所述抽排液机构。

为了便于对加热箱内的加热介质进行加热，优选的，所述加热机构包括加热板，所述加热板位于加热箱内，所述加热板内设有加热丝。

为了便于对检测槽进行升温，优选的，所述驱动机构包括驱动电机，所述驱动电机的输出端固定连接有转轴，所述转轴上设有凸轮，所述凸轮侧壁的边缘滑动连接有推杆，所述抽排液机构包括气缸，所述气缸内滑动连接有活塞，所述推杆远离凸轮的一端与活塞固定连接，所述气缸与加热箱之间连接有进液管，所述气缸与两组导热管之间均连接有排液管，所述进液管和排液管上均设有单向阀。

为了便于避免半导体器件与第一电极发生接触不良，优选的，所述检测槽内设有第一滑槽，所述第一电极滑动连接在第一滑槽内，所述第一电极位于第一滑槽内的一端固定连接有第一导电弹簧，所述第一导电弹簧远离第一电极的一端固定连接在第一滑槽的内壁，所述第一导电弹簧与电流表之间通过导电线连接。

为了便于避免压力过大对半导体器件造成损害，优选的，所述第二电极与夹持槽滑动密封连接，所述夹持槽与第二电极之间连接有第二导电弹簧，所述第二导电弹簧与蓄电池通过导电线连接。