[发明专利]一种先切SDB FinFET的制造方法

权利要求书

1.一种先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供基底，在所述基底上形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构，所述Fin结构的长度方向为与所述纵向垂直的横向；所述Fin结构上形成有SiN层；所述SiN层上形成有第一硬掩膜层；

步骤二、沉积薄型氧化层，所述薄型氧化层覆盖所述基底上表面以及所述Fin结构；

步骤三、在所述基底上沉积介质层覆盖所述基底上表面和所述薄型氧化层，之后进行退火；

步骤四、对所述介质层和所述薄型氧化层进行研磨，并研磨至露出所述SiN层上表面为止；

步骤五、在所述Fin结构的所述SiN层上形成SDB光刻胶图形；

步骤六、沿所述SDB光刻胶图形刻蚀所述SiN层以及所述Fin结构，形成SDB凹槽；

步骤七、在所述SDB凹槽的底部形成氧化层；

步骤八、在所述SDB凹槽的中部、所述氧化层上形成SiN；

步骤九、在所述SDB凹槽的顶部、所述SiN上形成SiC；

步骤十、去除所述SiN层使所述Fin结构上表面暴露，并且使得所述SiC暴露；

步骤十一、在所述Fin结构上以及所述SDB凹槽上形成沿横向间隔排列的多个伪栅极及依附于所述伪栅极的侧墙；

步骤十二、在所述SDB凹槽一侧的所述相邻两个所述伪栅极之间的所述Fin结构上形成SiP外延结构；在所述SDB凹槽另一侧的所述相邻两个所述伪栅极之间的所述Fin结构上形成SiGe外延结构；

步骤十三、沉积层间介质层覆盖所述伪栅极并填充所述伪栅极之间空间；之后研磨所述层间介质层至露出所述伪栅极顶部为止；

步骤十四、去除所述伪栅极，形成凹槽；之后在所述凹槽中填充HK金属，形成HK金属栅极。

2.根据权利要求1所述的先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于：步骤二中沉积在所述基底上表面和所述Fin结构侧壁的薄型氧化层的方法为原子层沉积法或原位水汽生成法。

3.根据权利要求1所述的先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于：步骤三中沉积所述介质层的方法为FCVD法。

4.根据权利要求1所述的先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述研磨为化学机械研磨。

5.根据权利要求1所述的先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于：步骤七中在所述SDB凹槽中形成氧化层的方法为：先在所述SDB凹槽沉积一层氧化物，之后进行回刻，在所述SDB沟槽底部形成所述氧化层。

6.根据权利要求1所述的先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于：步骤八中在所述SDB凹槽的中部形成SiN的方法为：先在所述SDB凹槽中沉积一层SiN，之后回刻，在所述SDB沟槽的中部、所述氧化层上形成SiN。

7.根据权利要求1所述的先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于：步骤九中在所述SDB凹槽顶部形成SiC的方法为：先在所述SDB凹槽中的SiN上沉积一层SiC，之后形成回刻并研磨，在所述SDB凹槽的SiN上形成上表面与所述SiN层上表面齐平的SiC。

8.根据权利要求1所述的先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于：步骤十一中所述伪栅极包括多晶硅层、位于所述多晶硅层上的第二硬掩膜层。

9.根据权利要求1所述的先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于：步骤十二中在所述SDB凹槽一侧的所述相邻两个伪栅极之间的所述Fin结构上形成的所述SiP外延结构的个数为两个。

10.根据权利要求1所述的先切SDB FinFET的制造方法，其特征在于：步骤十二中在所述SDB凹槽另一侧的所述相邻两个所述伪栅极之间的所述Fin结构上形成的所述SiGe外延结构的个数为两个。