[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

形成突出高于隔离区域的顶表面的半导体鳍，其中，所述半导体鳍与半导体条重叠，并且所述半导体条接触所述隔离区域；

在所述半导体鳍的第一部分的侧壁和顶表面上形成栅极堆叠；

蚀刻所述半导体鳍和所述半导体条以形成沟槽，其中，所述沟槽包括在所述半导体鳍中的上部和在所述半导体条中的下部；

在所述沟槽的下部中生长半导体区域，其中，用于生长所述半导体区域的工艺气体不具有含n型掺杂剂气体和含p型掺杂剂气体两者；以及

在所述沟槽的上部中生长源极/漏极区域，其中，所述源极/漏极区域包括p型或n型掺杂剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体区域的顶表面与所述半导体鳍的底表面齐平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体区域是使用自底向上沉积工艺来生长的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽的下部具有在约2nm和约4nm之间的范围内的深度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体区域被掺杂为具有与所述源极/漏极区域的第二导电类型相反的第一导电类型。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体区域被掺杂为具有与所述源极/漏极区域相同的导电类型。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体鳍具有面向所述沟槽的上部的第一侧壁，并且所述半导体条具有面向所述沟槽的下部的第二侧壁，并且所述第一侧壁是垂直且笔直的，并且所述第二侧壁是弯曲的。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁在与所述半导体鳍的底部齐平或低于所述半导体鳍的底部的位置处接合。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

形成突出高于隔离区域的顶表面的半导体鳍；

在所述半导体鳍上形成栅极堆叠；

蚀刻所述半导体鳍以形成沟槽，其中，所述沟槽进一步延伸到所述半导体鳍之下的半导体条中，并且延伸到阱区域中；

在所述沟槽的下部中生长半导体区域，其中，所述半导体区域的顶表面与所述半导体鳍的底部齐平或低于所述半导体鳍的底部，并且所述半导体区域的第一掺杂剂浓度低于所述阱区域的第二掺杂剂浓度，并且其中，所述第一掺杂剂浓度和所述第二掺杂剂浓度是n型和p型掺杂剂的掺杂剂浓度；以及

在所述半导体区域之上生长源极/漏极区域。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

在半导体衬底中形成阱区域；

形成延伸到所述阱区域中的隔离区域；

使所述隔离区域凹陷，其中，所述阱区域的一部分突出高于所述隔离区域以形成半导体鳍，并且所述阱区域的一部分位于所述隔离区域之间作为半导体条；

在所述半导体条中生长半导体区域，其中，用于生长所述半导体区域的工艺气体不具有p型和n型掺杂剂两者；以及

在所述半导体区域之上形成源极/漏极区域，其中，所述半导体区域具有低于所述阱区域的第二掺杂浓度和所述源极/漏极区域的第三掺杂浓度的第一掺杂浓度。