[发明专利]一种阻抗转换比可调的两路功率合成片上变压器

权利要求书

1.一种阻抗转换比可调的两路功率合成片上变压器，其特征在于：包括第一初级线圈L_p1、第二初级线圈L_p2、次级线圈L_s、调谐线圈L_t、第一调谐电容C_t1及第二调谐电容C_t2；其中：

所述第一初级线圈L_p1的第一端口IN1-作为第一路功率输入的负端，第二端口IN2+作为第二路功率输入的正端；

所述第二初级线圈L_p2的第一端口IN1+作为第一路功率输入的正端，第二端口IN2-作为第二路功率输入的负端；

所述次级线圈L_s的第一端口OUT+作为合成功率输出的正端，第二端口OUT-作为合成功率输出的负端；

所述调谐线圈L_t的第一端口L_{t_1}连接第一调谐电容C_t1的正极，第一调谐电容C_t1的负极接地；

所述调谐线圈L_t的第二端口L_{t_2}连接第二调谐电容C_t2的正极，第二调谐电容C_t2的负极接地。

2.根据权利要求1所述的阻抗转换比可调的两路功率合成片上变压器，其特征在于：所述第一调谐电容C_t1与第二调谐电容C_t2完全一样，其中，第一调谐电容C_t1包括第一电容C₀、第二电容C₁、第三电容C₂、第四电容C₃以及第一NMOS开关管NM0、第二NMOS开关管NM1、第三NMOS开关管NM2和第四NMOS开关管NM3，所述第一电容C₀、第二电容C₁、第三电容C₂、第四电容C₃的正极短接在一起作为第一调谐电容的正极P₁，第一电容C₀的负极连接至第一NMOS开关管NM0的漏极，第一NMOS开关管NM0的栅极接控制电压Vb0，第一NMOS开关管NM0的源极接地；第二电容C₁的负极连接至第二NMOS开关管NM1的漏极，第二NMOS开关管NM1的栅极接控制电压Vb1，第二NMOS开关管NM1的源极接地；第三电容C₂的负极连接至第三NMOS开关管NM2的漏极，第三NMOS开关管NM2的栅极接控制电压Vb2，第三NMOS开关管NM2的源极接地；第四电容C₃的负极连接至第四NMOS开关管NM3的漏极，第四NMOS开关管NM3的栅极接控制电压Vb3，第四NMOS开关管NM3的源极接地。

3.根据权利要求2所述的阻抗转换比可调的两路功率合成片上变压器，其特征在于：所述第一电容C₀、第二电容C₁、第三电容C₂、第四电容C₃的大小关系为：C₃＝2C₂＝4C₁＝8C₀。

4.根据权利要求2所述的阻抗转换比可调的两路功率合成片上变压器，其特征在于：所述第一NMOS开关管NM0、第二NMOS开关管NM1、第三NMOS开关管NM2和第四NMOS开关管NM3的尺寸完全一样。