[发明专利]一种对位C-H烷基化芳胺及其制备方法

说明书

一种对位C‑H烷基化芳胺及其制备方法，它涉及一种烷基化芳胺及其制备方法。现有苯胺对位烷基化的合成方法需要较高反应温度，反应条件比较苛刻，不能应用于药物的对位反应的问题。一种对位C‑H烷基化芳胺的结构式为：方法：向Schlenk管中加入芳胺、衍生物、催化剂、含磷配体、碱、银盐和溶剂，混合均匀，再在温度为0℃～80℃和光源照射的条件下反应，得到对位C‑H烷基化芳胺。本发明利用可见光诱导的光反应制备对位C‑H烷基化芳胺，具有反应条件温和，环境友好等特点；本发明制备的对位C‑H烷基化芳胺的产率为95％～99％。本发明可获得一种对位C‑H烷基化芳胺。

技术领域

本发明涉及一种烷基化芳胺及其制备方法。

背景技术

目前，实现了高温下苯胺对位烷基化，二氟烷基化，全氟代烷基化。利用钌催化在120℃实现了苯胺对位烷基化反应(Angew.Chem.Int.Ed.2017,129,15327-15331)。利用钌催化在120℃实现了苯胺对位二氟烷基化(Nat.Commun.2018,9,1189；Chem.Commun.,2018,54,9541-9544)；铁催化在140℃实现了苯胺对位二氟烷基化(J.Am.Chem.Soc.2020,142,20524-20530)；钯催化在140℃实现了苯胺对位二氟烷基化(ChemCatChem.2021,13,1738-1742)。利用钼在140℃实现了苯胺对位全氟代烷基化(Org.Lett.2019,21,6481-6484)。

但是，目前这些合成方法常常需要较高反应温度，反应条件比较苛刻，不能应用于药物的对位反应。

发明内容

现有苯胺对位烷基化的合成方法需要较高反应温度，反应条件比较苛刻，不能应用于药物的对位反应的问题，而提供一种对位C-H烷基化芳胺及其制备方法。

一种对位C-H烷基化芳胺的结构式为：其中式中A为C、O、P或S；R₁、R₂和R₃为含氟或者不含氟的有机基团，所述的有机基团为烷基、烯基、炔基、硝基、氰基或芳基；n的取值范围为0＜n≤3。

一种对位C-H烷基化芳胺的制备方法，是按以下步骤完成的：

向Schlenk管中加入芳胺、衍生物、催化剂、含磷配体、碱、银盐和溶剂，混合均匀，再在温度为0℃～80℃和光源照射的条件下反应，得到对位C-H烷基化芳胺；

所述的芳胺的结构式为式中A为C、O、P或S；R₁和R₂为含氟或者不含氟的有机基团，所述的有机基团为烷基、烯基、炔基、硝基、氰基或芳基；n的取值范围为0＜n≤3；

所述的衍生物的结构式为R₃-X，式中R₃为含氟或者不含氟的有机基团，所述的有机基团为烷基、烯基、炔基、硝基、氰基或芳基；X为卤素；所述的卤素为Cl、Br或I；

所述的催化剂为1,1'-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化镍、草酸铁(III)六水化物、二壬羰基铁、二茂铁、二茂铁甲醛、三氯化铁、无水溴化铁、三乙酰丙酮铁、氯化钌、十二羰基三钌、二氯双(4-甲基异丙基苯基)钌、三联吡啶氯化钌六水合物、八羰基二钴、硫酸钴、氯化钴、乙酰丙酮钴、(1,1'-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化镍、六水硫酸镍、醋酸镍、硫酸镍、氟化镍、无水氯化镍、羰基锰、三羰基环戊二烯锰、二氧化锰或五羰基溴化锰；

所述的含磷配体的结构式为式中R₁、R₂和R₃为含氟或者不含氟的有机基团，所述的有机基团为烷基、烯基、炔基、硝基、氰基或芳基；n的取值范围为0＜n≤3；

所述的碱为有机碱或无机碱；所述的无机碱为碳酸盐、乙酸盐或磷酸盐；所述的有机碱为有机胺类；