[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一半导体结构，上述半导体结构具有一存储器装置区域以及一逻辑装置区域，其中上述半导体结构包括在上述存储器装置区域与上述逻辑装置区域两者中的一第一金属层以及上述第一金属层上方的一介电阻挡层，且上述半导体结构还包括上述介电阻挡层上方的一第一介电层、上述第一金属层、上述介电阻挡层和上述第一介电层上方的多个磁穿隧接面装置以及上述第一介电层与上述磁穿隧接面装置上方的一第二介电层，其中上述第一介电层、上述磁穿隧接面装置以及上述第二介电层位于上述存储器装置区域中，且并未位于上述逻辑装置区域中；

使用流动式化学气相沉积，于上述存储器装置区域中的上述磁穿隧接面装置与上述第二介电层上方以及上述逻辑装置区域中的上述介电阻挡层上方，沉积一极低k值介电层；以及

抛光上述极低k值介电层，以在上述存储器装置区域以及上述逻辑装置区域两者中平坦化上述极低k值介电层的一顶部表面。