[发明专利]一种光刻胶的清洗方法

说明书

本发明提供一种光刻胶的清洗方法。所述清洗方法包括如下步骤：(1)将基板包含光刻胶的一面置于紫外光下老化，得到经老化处理的基板；(2)使用光刻胶清洗剂对步骤(1)得到的经老化处理的基板进行清洗，完成基板上光刻胶的清洗；所述光刻胶清洗液包括如下重量份数的组分：季胺氢氧化物1～20份、醇胺1～10份、表面活性剂0.01～10份和溶剂60～98份。本发明通过采用对包含光刻胶基板的先进行紫外光照射老化处理，再使用光刻胶清洗剂进行清洗的方法，在不增大光刻胶清洗剂碱性且不使用其他腐蚀抑制剂的情况下，完成基板上光刻胶的清洗，得到了表面无光刻胶残留、无腐蚀的基板。

技术领域

本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及一种光刻胶的清洗方法。

背景技术

光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂等成分组成且对光敏感的混合液体。目前光刻胶的型号多样，根据其显影原理大体可分为正性胶和负性胶。在半导体集成电路中，将光刻胶涂敷在硅、低介电常数材料、Al或Cu等金属表面，经过曝光、显影、蚀刻以形成电路，然后从基板上剥离光刻胶进行下一段工序，或者在形成电路之后，在图形上进行等离子蚀刻使图形进行转移，然后再进行下一阶段工艺，然而再进行下一段工序之前需要将光刻胶完全去除。

在现在半导体行业中，剥离光刻胶及其残留物需要经过干法灰化去除大部分由光刻胶形成的光阻层，再使用光刻胶剥离液将残余的光阻层或者直接使用配套清洗剂进行清洗出去残胶。目前，市场上已经出现了各种类型清洗剂，用于从衬底上剥离光刻胶或从衬底上剥离蚀刻后残留物。一般而言使用碱性清洗剂，其清洗能力的的提升主要是通过提高清洗液的碱性、选用更为有效的溶剂体系、提高操作温度和延长操作时间几个方面来实现的，但在此过程中往往也增强了对基底金属(铝、银、锡、铅或铜)的腐蚀，尤其是对铝这种两性金属的腐蚀，清洗液碱性的增强、操作温度的提高、清洗时间的增长，对铝的腐蚀性也会提高。因此，如何有效抑制金属腐蚀方法并提高光刻胶的去除能力是该类光刻胶清洗液努力改进的优先方向。

CN112558434A公开了一种光刻胶清洗剂组合物。所述光刻胶清洗剂的组成及其重量百分比为：季胺氢氧化物5％～20％、烷醇胺5％～30％、二醇醚化合物10％～60％、碳酸酯类化合物1％～20％、氨基酸0.1％～5％、缓冲剂0.1％～5％、润湿剂0.001％～10％和去离子水。该技术方案中通过多种组分形成复配型缓蚀剂，进一步通过沉积到金属表面形成保护膜以及糖醇类缓蚀剂在金属和非金属基材上形成化合键，防止金属及基材不受剥离剂腐蚀。

CN111103770A公开了光刻胶清洗剂及半导体基板上光刻胶的清洗方法。所述光刻胶清洗剂包括有机溶剂及腐蚀抑制剂；所述有机溶剂含有二甲基苯甲醇、聚氧化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚；所述腐蚀抑制剂含有氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。所述清洗方法包括如下步骤：S1：用光刻胶清洗剂对待清洗的半导体基板进行清洗；S2：对清洗剂清洗后的所述半导体基板进行刷洗；S3：将所述半导体基板放入去离子水中并进行超声波震动清洗，之后烘干。该技术方案中通过腐蚀抑制剂的使用，减缓了金属及基材的腐蚀强度。

CN109976111A公开了一种光刻胶清洗液，所述光刻胶清洗液包括以下质量百分比的组分：1％～6％的季铵氢氧化物水合物或季铵氢氧化物溶液、1％～10％的醇胺、以及余量的助溶剂；该季铵氢氧化物水合物或季铵氢氧化物溶液包括：质量百分比大于或等于80％的季铵氢氧化物。该技术方案中，通过各组分的协同作用，降低了对金属基材的损伤。

由上述内容可知，现有技术中，往往通过提高光刻胶清洗液的碱性以提高光刻胶的去除效果，并通过各种缓冲剂或者腐蚀抑制剂的使用，降低降低光刻胶清洗剂对基材的腐蚀，而对于光刻胶的清洗工艺没有过分关注。因此，如何在不增大清洗剂碱性且不使用其他腐蚀抑制剂的情况下，提高光刻胶的去除效果的同时，降低清洗去除光刻胶的过程中对基材的腐蚀，已成为目前亟待解决的技术问题。

发明内容