[发明专利]一种纳米复合薄膜的制备方法及应用有效
| 申请号： | 202110871397.1 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113584552B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;张立秋;王渊博;刘立春;程琼;沈红霞;肖奕 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D3/50;B82Y40/00;B82Y30/00;C09K9/00;B01J23/652;B01J37/34 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将导电基底用3000目砂纸打磨光滑，并洗净；
其中，所述导电基底为直径3mm的圆盘金/碳导电基底；
(2)配置七钼酸铵溶液和氯化钯的盐酸溶液；
(3)采用三电极体系进行电沉积，将七钼酸铵溶液置于电解池中，然后将三电极置于七钼酸铵溶液中进行电沉积，得到氧化钼薄膜；
(4)将氧化钼薄膜置于氯化钯的盐酸溶液中，然后利用三电极体系进行电沉积，最终形成纳米粒子开放嵌入氧化钼薄膜的复合结构；
步骤(2)中所述七钼酸铵溶液的浓度为0.1-100mM；所述氯化钯的盐酸溶液中，所述氯化钯的浓度为0.1-100mM，所述氯化钯与盐酸的摩尔浓度比为(1:2)-(1:10)；
步骤(3)中所述电沉积为采用恒电压或恒电流的方式进行电沉积0.001s-10s，所述电压为-0.5～-1.0V，所述电流为1-500mA/cm2；
步骤(4)中所述电沉积为采用恒电压或恒电流的方式进行电沉积0.001s-10s，所述电压为0～-0.6V，所述电流为1-500mA/cm2。
2.根据权利要求1所述的纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述洗净为将打磨光滑的导电基底依次放入硫酸、丙酮、酒精和二次水中超声4-6min，所述超声频率为40kHz。
3.根据权利要求1所述的纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述三电极包括工作电极、参比电极和对电极；所述参比电极的材料为银/氯化银；对电极的材料为碳棒。
4.如权利要求1-3任一所述的一种纳米复合薄膜的制备方法制备的纳米粒子开放嵌入氧化钼薄膜的复合结构在光/电致变色薄膜、催化剂、传感材料中的应用。
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