[发明专利]一种智能功率模块及电子设备

权利要求书

1.一种智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块包括高压集成电路芯片、至少一个上桥IGBT与至少一个下桥IGBT，所述下桥IGBT的邦线具有寄生电阻，所述高压集成电路芯片包括过流保护单元，

所述过流保护单元获取所述上桥IGBT的集电极和发射极之间的饱和电压，并获取所述下桥IGBT电流经过所述寄生电阻产生的电压，以监控所述上桥IGBT与所述下桥IGBT的工作状态。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述过流保护单元包括第一过流保护电路，所述第一过流保护电路获取所述饱和电压，基于所述饱和电压与参考电压控制所述上桥IGBT的工作状态。

3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一过流保护电路包括比较器、第一检测电路与电压源；

所述比较器的第一输入端通过所述第一检测电路连接所述上桥IGBT的集电极，所述第一检测电路基于所述饱和电压得到第一检测电压；

所述比较器的第二输入端连接所述电压源的一端，所述电压源的另一端连接地电压，所述比较器的第二输入端通过所述电压源得到所述参考电压。

4.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一过流保护电路还包括电流源，所述第一检测电路包括：

第一MOS管，其第一端连接所述上桥IGBT的集电极，所述第一MOS管的控制端连接所述第一MOS管的第二端；

第一电阻，其一端连接所述第一MOS管的第二端，另一端连接所述比较器的第一输入端；所述电流源连接所述比较器的第一输入端，用于控制所述第一MOS管导通。

5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一检测电压为所述饱和压降、所述第一MOS管的导通压降与第一电压之和，所述第一电压为所述第一电阻根据所述电流源产生流经所述第一电阻的电流所产生的电压。

6.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一过流保护电路还包括第二检测电路，所述第二检测电路包括第二MOS管，所述第二MOS管的第一端连接所述比较器的第一输入端，所述第二MOS管的第二端连接所述比较器的第二输入端，所述第二MOS管用于控制所述比较器的第一输入端的电压。

7.根据权利要求6所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥IGBT的门极接收第一控制信号，所述第二MOS管的栅极接收第二控制信号，所述第二控制信号和所述第一控制信号的相位相反设置。

8.根据权利要求1-7任一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述过流保护单元包括第二过流保护电路，所述第二过流保护电路基于所述邦线的寄生电阻的工作电流获取第二检测电压监控所述下桥IGBT的工作状态。

9.根据权利要求8所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块还包括地线，所述下桥IGBT的发射极通过所述邦线与所述地线相连，所述第二过流保护电路连接所述下桥IGBT的发射极，根据流经所述邦线的所述工作电流，以获取所述第二检测电压。

10.根据权利要求8所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块还包括快恢复二极管以及地线，所述邦线包括第一邦线与第二邦线，所述下桥IGBT的发射极通过所述第一邦线连接所述快恢复二极管的阳极，所述快恢复二极管的阳极通过所述第二邦线连接所述地线，以使所述下桥IGBT的发射极与所述地线连接；

所述第二过流保护电路连接所述下桥IGBT的发射极，根据流经所述第一邦线与所述第二邦线的所述工作电流，以获取所述第二检测电压。

11.根据权利要求8所述的智能功率模块，其特征在于，所述高压集成电路芯片包括ITRIP端口，所述第二过流保护电路通过所述ITRIP端口检测。

12.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的智能功率模块。