[发明专利]一种薄化晶硅电池组件

权利要求书

1.一种薄化晶硅电池组件，其特征在于：所述的电池组件包括抗反射玻璃、EVA薄膜、电池片组、TPT薄膜和铝框，所述的抗反射玻璃设置在EVA薄膜上方，EVA薄膜设置在电池片组上方，电池片组设置在TPT薄膜上方，所述的抗反射玻璃、EVA薄膜、电池片组、TPT薄膜通过铝框包围，其中抗反射玻璃顶面低于铝框的顶面；所述的电池片组由多个薄化晶硅电池串接组成；

每个薄化晶硅电池从上到下依次包括第一SiN_x薄膜、SiO₂钝化薄膜、p型单晶硅片、Al₂O₃薄膜、第二SiN_x薄膜和第一SiO_x薄膜；所述的p型单晶硅片上表面织构化，且p型单晶硅形成n+发射极，得到p-n结，其中n+发射极的掺杂浓度为(1.0±0.2)×10¹⁸/cm3，p型单晶硅片背面采用激光打孔，并在孔内形成p+局部背表面场，并设置铝金属触点；p型单晶硅片上表面设有选择性发射结，发射结上设有金属电极；所述的第一SiNx薄膜厚度为60-75纳米、SiO₂钝化薄膜厚度为8-10纳米、p型单晶硅片厚度为100-150米、Al₂O₃薄膜厚度为8-10纳米、第二SiN_x薄膜厚度为30-40纳米，第一SiO_x薄膜厚度为80-250纳米。

2.根据权利要求1所述的一种薄化晶硅电池组件，其特征在于：所述的薄化晶硅电池还包括第二SiO_x薄膜；其中第二SiO_x薄膜设置在第一SiN_x薄膜上方；所述的第二SiO_x薄膜厚度为40-45纳米。

3.根据权利要求1所述的一种薄化晶硅电池组件，其特征在于：所述抗反射玻璃厚度为2.2mm，其中抗反射层厚度110nm。

4.根据权利要求1所述的一种薄化晶硅电池组件，其特征在于：所述的EVA薄膜厚度为0.45mm。

5.根据权利要求1所述的一种薄化晶硅电池组件，其特征在于：所述的铝框的垂直截面为L型，其中竖直部分长度为4cm，宽度为1.1cm，水平部分宽度为0.2cm，水平部分长度为3cm；其中抗反射玻璃厚度顶面距离铝框的顶面的高度为0.3cm。