[发明专利]包括半导体芯片的半导体封装件在审
| 申请号: | 202110830956.4 | 申请日: | 2021-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN114497023A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 姜炫求;成载圭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;肖学蕊 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 半导体 芯片 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
封装衬底;
半导体芯片,其位于所述封装衬底上;
多个第一导电连接件,其将所述半导体芯片连接到所述封装衬底;
所述封装衬底上的第一间隔件和第二间隔件,所述第一间隔件和所述第二间隔件中的每一个与所述半导体芯片水平间隔开;
各自包括多个存储器芯片的第一塔和第二塔,第一存储器芯片设置在所述第一塔的最下端并且从俯视图来看与所述半导体芯片和所述第一间隔件竖直地叠置,并且第二存储器芯片设置在所述第二塔的最下端并且从俯视图来看与所述半导体芯片和所述第二间隔件竖直地叠置;以及
多个第一粘合层,其包括附着在所述第一存储器芯片与所述半导体芯片之间的粘合层、附着在所述第一存储器芯片与所述第一间隔件之间的粘合层、附着在所述第二存储器芯片与所述半导体芯片之间的粘合层和附着在所述第二存储器芯片与所述第二间隔件之间的粘合层。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述封装衬底的水平宽度为第一宽度,
所述第一存储器芯片与所述半导体芯片之间的叠置区域的水平宽度为第二宽度,并且
所述第二宽度小于所述第一宽度的一半。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述第二宽度为0.2mm或更大。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,
所述封装衬底包括第一侧表面和与所述第一侧表面相对的第二侧表面,
所述多个存储器芯片中的任意一个与穿过所述第一侧表面并且垂直于所述封装衬底的顶表面的延伸线之间的最小水平距离为第三宽度,并且
所述第三宽度大于0mm且小于或等于所述第二宽度。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述第二宽度大于或等于所述第三宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述半导体芯片包括多个焊盘,并且
从俯视图来看,所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片中的每一个与所述多个焊盘中的至少一个的上部叠置。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个第一导电连接件中的至少一些延伸到由所述多个第一粘合层形成的内部边界内。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述多个第一粘合层包括直接粘合膜或线上膜。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述封装衬底包括第一侧表面和与所述第一侧表面相对的第二侧表面,
所述第一塔的多个存储器芯片在朝向所述第一侧表面的方向上顺序地且以向上阶梯方式堆叠,并且
所述第二塔的多个存储器芯片在朝向所述第二侧表面的方向上顺序地且以向上阶梯方式堆叠。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述第一存储器芯片的侧表面和所述第一间隔件的侧表面彼此共面,并且
所述第二存储器芯片的侧表面和所述第二间隔件的侧表面彼此共面。
11.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片以及所述第一间隔件和所述第二间隔件的顶表面彼此共面。
12.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片包括缓冲芯片、插入器芯片、控制器芯片、逻辑芯片或它们的组合。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件,还包括:多个第二导电连接件,其将所述第一塔和所述第二塔的多个存储器芯片连接到所述半导体芯片。
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