[发明专利]存储阵列的缺陷定位方法、装置、设备及可读存储介质

说明书

本申请提供了一种存储阵列的缺陷定位方法、装置、设备及可读存储介质，该方法包括：对存储阵列的检测图像进行灰度处理以获得检测图像中的多个电压衬度的灰度值，其中，电压衬度指示存储阵列对应的检测位置可能存在的缺陷；在灰度处理后的检测图像中识别出多个电压衬度的轮廓；根据识别出的轮廓获取多个检测位置的坐标，以与检测位置建立对应关系；以及根据灰度值和对应关系定位出存储阵列的缺陷。该缺陷定位方法可保证检测图像质量不变的情况下，对庞大的电压衬数据进行自动批处理，运行几秒即可获取缺陷定位结果，避免对数据的多次重复性和手动操作。

技术领域

本申请涉及半导体领域，更具体地，涉及存储阵列的缺陷定位方法、装置、设备及可读存储介质。

背景技术

在制造三维存储器阵列时，会在包括交替层叠设置的绝缘层和导电的栅极层的堆叠结构端部形成台阶区，并在各级台阶上刻蚀形成与栅极层连接的接触孔(CT)，然后填充接触孔形成导电插塞，从而利用导电插塞引出栅极层的电信号。

三维存储器阵列的分布方式往往随着存储器的技术发展和容量需要进行调整。当对存储器阵列多处相同的位置(至少有几十万个位置)，如前述多个接触孔(CT)位置，当采用电子束(E-beam)对接触孔进行漏电检测时，由于接触孔布局更替较快，难以快速将检测的至少几十万个亮电压衬度(Bright Voltage contrast，BVC)与接触孔位置对应，导致无法准确找到表示缺陷的亮电压衬度对应的接触孔位置，从而造成缺陷的定位困难。

应当理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景，然而，这些内容并不一定属于在本申请的申请日之前本领域技术人员已知或理解的内容。

发明内容

本申请提供了一种可至少部分解决相关技术中存在的上述问题的存储阵列的缺陷定位方法及装置。

根据本申请的一个方面，提供一种存储阵列的缺陷定位方法，所述方法可包括：对所述存储阵列的检测图像进行灰度处理以获得所述检测图像中的多个电压衬度的灰度值，其中，所述电压衬度指示所述存储阵列对应的检测位置可能存在的缺陷；在灰度处理后的检测图像中识别出所述多个电压衬度的轮廓；根据识别出的所述轮廓获取所述多个所述检测位置的坐标，以与所述检测位置建立对应关系；以及根据所述灰度值和所述对应关系定位出所述存储阵列的缺陷。

在本申请的一个实施方式中，通过电子束检测所述存储阵列的所述检测位置获得包括所述多个电压衬度的所述检测图像。

在本申请的一个实施方式中，所述存储阵列的检测位置包括阵列孔位置。

在本申请的一个实施方式中，在灰度处理后的检测图像中识别出所述多个电压衬度的轮廓包括：

获取灰度处理后的所述检测图像中的轮廓点集合；以及从所述检测图像中的轮廓点集合中提取出所述多个电压衬度的轮廓。

在本申请的一个实施方式中，从所述检测图像中的轮廓点集合中提取出所述多个电压衬度的轮廓包括：基于所述检测图像中的轮廓点集合计算多个轮廓周长；将多个所述轮廓周长与周长预设值比较；响应于所述轮廓周长与所述周长预设值的比较结果符合预设条件，将该轮廓周长对应的轮廓对应于所述电压衬度的轮廓。

在本申请的一个实施方式中，根据识别出的所述轮廓获取所述多个所述检测位置的坐标包括：获取多个所述电压衬度的轮廓点坐标；基于所述轮廓点坐标筛选出所述轮廓的重心点坐标作为所述检测位置的坐标。

在本申请的一个实施方式中，基于所述轮廓点坐标筛选出所述轮廓的重心点坐标作为所述检测位置的坐标包括：基于所述轮廓点的X坐标和Y坐标集合得到所述重心点的坐标集合；在所述重心点的坐标集合中筛选出不重复的重心点坐标作为所述检测位置的坐标。

在本申请的一个实施方式中，根据所述灰度值和所述对应关系定位出所述存储阵列的缺陷包括：通过所述灰度值确定所述电压衬度指示的缺陷；以及基于建立的所述对应关系，确定出所述缺陷的位置。