[发明专利]一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 202110795264.0 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113488530A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 唐楚滢;杜方洲;于洪宇;汪青;王祥;卢宏浩;武占侠 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;深圳智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/417;H01L21/28;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 电极 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述电极包括依次层叠设置的氧化镍层、铂层和金层，其中，所述氧化镍层为P型结构，所述铂层位于所述氧化镍层和金层的中间，所述氧化镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述电极的厚度为60～200nm；
优选地，所述铂层的厚度大于或等于氧化镍层的厚度且小于金层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述氧化镍层的厚度为5～50nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述铂层的厚度为5～50nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述金层的厚度为50～100nm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的p型氮化镓基器件的电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)在p型氮化镓外延结构上进行区域化处理，露出p型氮化镓基器件的电极区域；
(2)将步骤(1)经过处理的p型氮化镓外延结构进行真空热处理，然后在步骤(1)所述p型氮化镓基器件的电极区域上依次沉积氧化镍层、铂层和金层，再进行金属剥离，得到所述的p型氮化镓基器件的电极；
其中，所沉积的氧化镍层为P型结构。
7.根据权利要求6所述的p型氮化镓基器件的电极的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述区域化处理包括：
在p型氮化镓外延结构上旋涂光刻胶，然后进行曝光显影；
优选地，对步骤(1)得到的p型氮化镓基器件的电极区域进行刻蚀处理；
优选地，所述刻蚀处理包括干法刻蚀处理；
优选地，步骤(2)所述热处理的方法为将步骤(1)经过处理的p型氮化镓外延结构放入真空磁控溅射设备腔中进行热处理；
优选地，步骤(2)所述热处理的温度为80～150℃；
优选地，步骤(2)所述热处理的时间为20～40min；
优选地，步骤(2)所述沉积的方法为真空磁控溅射法。
8.根据权利要求6或7所述的p型氮化镓基器件的电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)在p型氮化镓外延结构上旋涂光刻胶，然后进行曝光显影，露出p型氮化镓基器件的电极区域；
(2)对步骤(2)得到的p型氮化镓基器件的电极区域进行干法刻蚀处理，得到经过处理后的样品；
(3)将步骤(2)经过处理后的样品放入真空磁控溅射设备腔中以80～150℃的温度进行热处理20～40min，然后在步骤(2)所述p型氮化镓基器件的电极区域上用真空磁控溅射法依次沉积氧化镍层、铂层和金层，再进行金属剥离，得到所述的p型氮化镓基器件的电极；
其中，所沉积的氧化镍层为P型结构。
9.一种p型氮化镓基器件，其特征在于，所述p型氮化镓基器件包括依次层叠设置的衬底、p型氮化镓外延结构和如权利要求1-5任一项所述的p型氮化镓基器件的电极，其中，所述p型氮化镓外延结构位于所述衬底的表面，所述电极位于p型氮化镓外延结构上；
如权利要求1-5任一项所述的p型氮化镓基器件的电极在所述p型氮化镓基器件中用作源极和漏极。
10.根据权利要求9所述的p型氮化镓基器件，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石、硅或碳化硅中的任意一种或至少两种的组合。
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