[发明专利]修整装置和研磨装置

说明书

本发明提供修整装置和研磨装置。修整装置包括：修整器，设置于研磨装置，所述研磨装置使研磨垫接触基板状的工件并利用所述工件与所述研磨垫的相对移动来研磨所述工件，并且所述修整器具有与所述研磨垫的研磨面相对滑动来修整所述研磨垫的修整面；修整器驱动构件，使所述修整器旋转；高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的高压水；以及高压水喷嘴，朝向旋转的所述修整面喷射所述高压水。

相关申请的交叉参考

本申请基于2020年07月16日向日本特许厅提交的日本专利申请第2020-121966号，因此将所述日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本申请的一个方式涉及修整装置以及具备所述修整装置的研磨装置。

背景技术

以往，在对半导体晶片等的表面进行研磨的研磨装置中，使用修整装置。修整装置为了稳定地维持研磨垫的研磨特性而对研磨垫的表面进行修整。这种修整装置使用金刚石、尼龙刷或者高压水进行研磨垫的堵塞去除和研磨垫的修锐。

例如，在日本专利公开公报特开2005-271101号中，公开了对用于化学机械研磨(CMP)的研磨垫进行修整的修整装置。该文献公开的修整装置具备在表面电沉积有金刚石磨粒的修整板，以及配置在修整板的内周侧且在表面植设有刷的刷板。

刷板的中心部穿设有贯通孔。清洗液供给配管插入所述贯通孔的内部。而且，所述修整装置具备清洗液供给机构。清洗液供给机构在对清洗用的液体进行加压的状态下，将其供给到清洗液供给配管。由清洗液供给机构加压过的清洗液从贯通孔朝向研磨垫吐出。

此外，例如在日本专利公开公报特开2002-187059号中，公开了对半导体晶片的研磨装置的研磨垫进行修整的修整机构。所述修整机构具备电沉积有金刚石磨粒的修整器。此外，该文献公开了喷嘴。所述喷嘴通过朝向研磨垫喷射高压水来清洗研磨面。

此外，例如在日本专利公开公报特开2001-030169号中，公开了对研磨工作台的研磨加工面进行修整的修整装置。所述修整装置所具备的清洗器通过向低压水中吐出高压水来产生空蚀，利用所述空蚀破坏力所产生的冲击波来清洗研磨面。

可是，在上述的现有技术的修整装置中，为了能够提高修整的效果来提高研磨装置的研磨性能，存在需要改进的部分。

具体而言，如现有技术的研磨装置那样通过对研磨垫喷射高压水来清洗研磨面的结构下，尽管得到从研磨面洗去研磨屑等的效果，但是难以清洗修整装置的修整面。

即，按照现有技术的研磨装置，在向研磨垫喷射高压水时，难以将附着于修整器的修整面的包含金属和树脂等的聚合物的研磨屑等除去。因此，按照现有技术的研磨装置，研磨屑等附着于修整面，修整性能降低，其结果，研磨性能降低。

发明内容

本申请的一个目的是提供以下的修整装置和研磨装置。即，这些修整装置和研磨装置能够长时间地获得优异的修整性能以及良好地维持研磨性能。因此，可以提高研磨加工的生产性。

本申请的一个方式的修整装置(本修整装置)包括：修整器，设置于研磨装置，所述研磨装置使研磨垫接触基板状的工件并利用所述工件与所述研磨垫的相对移动来研磨所述工件，并且所述修整器具有与所述研磨垫的研磨面相对滑动来修整所述研磨垫的修整面；修整器驱动构件，使所述修整器旋转；高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的高压水；以及高压水喷嘴，朝向旋转的所述修整面喷射所述高压水。