[发明专利]一种硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种硅基底的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一硅基底，所述硅基底具有相对的第一面和第二面；所述第一面具有层叠的第一氧化层、镀膜工艺绕镀产生的绕隧穿层和绕非晶硅层；

采用第一湿法去除工艺去除所述硅基底的绕非晶硅层；

保持去除绕非晶硅层的所述硅基底始终处于湿润状态，采用第二湿法去除工艺去除所述第一氧化层和所述绕隧穿层。

2.根据权利要求1所述的硅基底的处理方法，其特征在于，所述第一湿法去除工艺的设备为链式单面去除设备，所述链式单面去除设备选自滚轮式单面刻蚀设备、履带式单面刻蚀设备；

或者，所述第一湿法去除工艺的设备为浸没式刻蚀槽。

3.根据权利要求1所述的硅基底的处理方法，其特征在于，所述第一湿法去除工艺的刻蚀剂为碱性溶液，其中，所述碱性溶液包括KOH、NaOH或有机碱中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的硅基底的处理方法，其特征在于，在去除所述硅基底的绕非晶硅层之后，在去除所述第一氧化层和所述绕隧穿层之前，硅基底的处理方法还包括：水洗所述硅基底。

5.根据权利要求1所述的硅基底的处理方法，其特征在于，在去除所述硅基底的绕非晶硅层之后，去除所述第一氧化层和所述绕隧穿层之前，硅基底的处理方法还包括：保持去除绕非晶硅层的所述硅基底始终处于湿润状态，利用第一酸性溶液清洗所述硅基底，然后水洗所述硅基底；

其中，所述第一酸性溶液含有HCl，或所述第一酸性溶液含有HCl和HF；清洗所述硅基底的设备为浸没式刻蚀槽。

6.根据权利要求1所述的硅基底的处理方法，其特征在于，所述第一面还具有绕氧化层，所述绕氧化层的材料为硅氧化物，位于所述绕非晶硅层远离所述绕隧穿层的表面；

在去除所述硅基底的绕非晶硅层之前，硅基底的处理方法还包括：利用链式单面去除设备去除所述绕氧化层；其中，去除所述绕氧化层的刻蚀剂为含有HF的酸性溶液。

7.根据权利要求1～6任一项所述的硅基底的处理方法，其特征在于，保持去除绕非晶硅层的所述硅基底始终处于湿润状态的方式包括：向所述硅基底喷淋水。

8.根据权利要求1～6任一项所述的硅基底的处理方法，其特征在于，在去除所述硅基底的绕非晶硅层之后，在去除所述第一氧化层和所述绕隧穿层之前，硅基底的处理方法还包括：

保持去除绕非晶硅层的所述硅基底始终处于湿润状态，利用花篮、滚轮传送带或履带式传送带转运所述硅基底。

9.根据权利要求1～6任一项所述的硅基底的处理方法，其特征在于，所述第二湿法去除工艺的设备为浸没式刻蚀槽；和/或，

去除所述第一氧化层和所述绕隧穿层包括：利用第二酸性溶液刻蚀所述硅基底和/或利用臭氧水溶液刻蚀所述硅基底，以去除所述第一氧化层和所述绕隧穿层；其中，所述第二酸性溶液含有HF；所述臭氧水溶液的臭氧浓度大于10ppm，pH值为2-4；所述臭氧水溶液含有0.1wt％～3wt％的HCl。

10.根据权利要求1～6任一项所述的硅基底的处理方法，其特征在于，所述第二面具有第二氧化层，采用第二湿法去除工艺去除所述第一氧化层和所述绕隧穿层的同时，去除所述第二氧化层。

11.根据权利要求1～6任一项所述的硅基底的处理方法，其特征在于，

所述绕隧穿层的材料为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮氧化硅或氮氧化硅中的一种或多种，所述绕非晶硅层的材料为本征非晶硅或掺杂非晶硅；所述第一氧化层的材料为硼硅玻璃或磷硅玻璃。

12.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括权利要求1～11任一项所述的硅基底的处理方法。

13.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用权利要求12所述的太阳能电池的制作方法制作而成。