[发明专利]无助焊剂倒装芯片封装件的制造装置及制造方法

权利要求书

1.一种无助焊剂倒装芯片封装件的制造装置，其将具有凸块的半导体芯片键合到基板上而制造封装件，其特征在于，在一个装置内包括：

预处理部，其为了去除形成在上述凸块的氧化膜，使用等离子体对上述凸块和上述基板执行等离子体处理；

芯片贴附部，其不使用助焊剂而将上述半导体芯片贴附到上述基板上；以及，

键合部，其在上述半导体芯片已贴附到上述基板上的状态下，在没有上述基板的移动的情况下直接施加激光或灯加热器的热以执行一次键合，并将激光或灯加热器的热对上述一次键合已完成的多个上述半导体芯片整体地施加1秒至5秒钟时间而执行二次键合。

2.根据权利要求1所述的无助焊剂倒装芯片封装件的制造装置，其特征在于，

上述等离子体是大气压等离子体。

3.一种无助焊剂倒装芯片封装件的制造方法，其将具有凸块的半导体芯片键合到基板上而制造封装件，其特征在于，包括：

预处理步骤，其为了去除形成在上述凸块的氧化膜，使用大气压等离子体对上述凸块和上述基板执行等离子体处理；

芯片贴附步骤，其不使用助焊剂而将上述半导体芯片贴附到上述基板上；以及，

键合步骤，其对已贴附到上述基板上的上述半导体芯片施加激光的热而进行键合，

上述键合步骤包括：

第一键合步骤，其在上述半导体芯片已贴附到上述基板上的状态下，在没有上述基板的移动的情况下直接施加激光或灯加热器的热以局部地进行键合；以及，

第二键合步骤，其在多次执行上述第一键合步骤之后，将激光或灯加热器的热对已局部地键合到上述基板上的多个上述半导体芯片施加1秒至5秒钟时间而进行键合。

4.根据权利要求3所述的无助焊剂倒装芯片封装件的制造方法，其特征在于，

上述芯片贴附步骤是使用玻璃或石英等透明材质的拾取装置以使激光能够透射而将上述半导体芯片贴附到上述基板上的步骤。

5.根据权利要求3所述的无助焊剂倒装芯片封装件的制造方法，其特征在于，

上述第二键合步骤是在使已局部地键合到上述基板上的多个上述半导体芯片缓慢地移动或停止的状态下照射具有一定宽度和长度的激光束或照射功率为100W至20kW的灯加热器的热而进行键合的步骤。

6.根据权利要求3所述的无助焊剂倒装芯片封装件的制造方法，其特征在于，

在上述第一键合步骤与上述第二键合步骤之间进一步包括为了防止在上述第二键合步骤中施加的激光造成损坏而在上述基板的上部设置保护掩模的保护掩模设置步骤。

7.根据权利要求6所述的无助焊剂倒装芯片封装件的制造方法，其特征在于，

上述保护掩模仅在上述第二键合步骤中须键合的部分形成有开口部。