[发明专利]包括功率晶体管和DC馈送路径的器件和方法

权利要求书

1.一种器件(10)，包括：

功率晶体管(11)，

输出节点(12)，被耦合到所述功率晶体管(11)的负载端子，

DC馈送路径(17；37)，被耦合在DC馈送节点(13)与所述输出节点(12)之间，

一个或多个分立电容器(14、15；31、50)，被耦合在所述DC馈送路径(17；37)与参考电位之间，其中所述一个或多个分立电容器(14、15；31、50)中最靠近所述输出节点的第一电容器(14；31)是沟槽电容器器件。

2.根据权利要求1所述的器件(10)，其中所述第一电容器(14；31)包括选自包含氮化硅或氧化硅的组的电介质材料。

3.根据权利要求1或2所述的器件(10)，其中所述第一电容器(14；31)具有至少500pF的总电容值。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件(10)，其中所述第一电容器具有小于75pH的等效串联电感。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的器件(10)，其中所述DC馈送路径(17；37)还包括在所述第一电容器(14；31)与所述输出节点(12)之间的匹配阻抗(16；32)，其中所述匹配阻抗(16；32)被配置为谐振掉所述功率晶体管(11)的、在所述功率晶体管(11)的所述负载端子与另一负载端子之间的电容。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件(10)，其中所述第一电容器(14；31)是将所述DC反馈路径(17；37)耦合到接地的唯一分立电容器。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的器件(10)，其中所述一个或多个分立电容器(14、15；31、50)包括至少一个第二电容器(15；50)。

8.根据权利要求7所述的器件(10)，其中所述至少一个第二电容器(15；50)具有与所述第一电容器(14；31)的电容值相等或比所述第一电容器(14；31)的电容值大的电容值。

9.根据权利要求7或8所述的器件(10)，还包括在所述第一电容器(14；31)与所述第二电容器(15；50)之间的阻抗(51)。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的器件，其中所述沟槽电容器器件包括多个沟槽电容器元件。

11.根据权利要求10所述的器件，其中相邻的沟槽电容器元件之间的电感小于10pH。

12.一种射频放大器器件，包括根据权利要求1至11中任一项所述的器件。

13.一种方法，包括：

通过控制功率晶体管(11)，在输出节点(12)处提供输出信号，

经由DC馈送路径(17；37)，向所述输出节点(12)提供DC馈送，

使用一个或多个分立电容器(14、15；31、50)来执行滤波，所述一个或多个分立电容器(14、15；31、50)被耦合在所述DC馈送路径(17；37)与参考电位之间，其中所述一个或多个分立电容器(14、15；31、50)中最靠近所述输出节点的第一电容器(14；31)是沟槽电容器器件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述一个或多个分立电容器(14、15；31、50)包括至少一个第二电容器(15；50)。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中所述方法使用根据权利要求1至11中任一项所述的器件(10)来执行。