[发明专利]半导体存储装置、存储器系统及执行读取动作的方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：

存储器单元阵列，包括第1存储器单元、第2存储器单元及第3存储器单元；

第1字线，连接于所述第1存储器单元的栅极；

第2字线，连接于所述第2存储器单元的栅极；

第3字线，连接于所述第3存储器单元的栅极；及

控制电路，构成为：响应第1指令集而执行第1读取动作，响应随所述第1指令集之后的第2指令集而执行第2读取动作，及响应随所述第1指令集之后的第3指令集而执行第3读取动作；其中

所述第1读取动作包括第1读取序列，其中所述控制电路施加互不相同的至少第1至第3电压至所述第1字线；

在所述第2读取动作中，所述控制电路通过施加第1读取电压至所述第2字线，而从所述第2存储器单元读取数据，所述第1读取电压是基于所述第1读取动作的所述第1读取序列的结果而设定；且

在所述第3读取动作中，所述控制电路通过施加第2读取电压至所述第3字线，而从所述第3存储器单元读取数据，所述第2读取电压独立于所述第1读取序列的所述结果而设定。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第3指令集包括读取指令，所述读取指令是在读取也包括在所述第3指令集中的地址信息之前由所述控制电路读取。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1指令集包括第1特殊指令与读取指令，所述第1特殊指令是在读取所述第1指令集中的所述读取指令之前由所述控制电路读取，且所述第1指令集中的所述读取指令是在读取也包括在所述第1指令集中的地址信息之前由所述控制电路读取；且

所述第2指令集包括第2特殊指令与读取指令，所述第2特殊指令是在读取所述第2指令集中的所述读取指令之前由所述控制电路读取，且所述第2指令集中的所述读取指令是在读取也包括在所述第2指令集中的地址信息之前由所述控制电路读取。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1读取动作包括第2读取序列，其中所述控制电路通过施加第3读取电压而从所述第1存储器单元读取所述数据，所述第3读取电压是基于所述第1读取序列的所述结果而设定。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还包含：

第4字线，连接于所述存储器单元阵列的第4存储器单元的栅极；及

第5字线，连接于所述存储器单元阵列的第5存储器单元的栅极；其中

控制电路，构成为：响应第4指令集而执行第4读取动作，及响应随所述第4指令集之后的第5指令集而执行第5读取动作；

所述第4读取动作包括第3读取序列，其中所述控制电路施加互不相同的至少第4至第6电压至所述第4字线；且

在所述第5读取动作中，所述控制电路通过施加第3读取电压至所述第5字线，而从所述第5存储器单元读取数据，所述第3读取电压是基于所述第4读取动作的所述第3读取序列的结果而设定。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第3读取电压与所述第2读取电压不同。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1及第4指令集各自包括第1特殊指令，且所述第2及第5指令集各自包括第2特殊指令；及

所述第1特殊指令是在读取也包括在所述第4指令集中的读取指令之前由所述控制电路读取，且所述第2特殊指令是在读取也包括在所述第5指令集中的读取指令之前由所述控制电路读取。

8.一种存储器系统，其特征在于包含：

控制器及根据权利要求1所述的半导体存储装置。