[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

半导体衬底层；

位于所述半导体衬底层一侧的背面复合透明导电膜；所述背面复合透明导电膜包括：

第一背面透明导电膜；

位于所述第一背面透明导电膜背向所述半导体衬底层一侧表面的第二背面透明导电膜；

其中：所述第一背面透明导电膜和所述第二背面透明导电膜中均掺杂有Ⅲ族重原子，所述Ⅲ族重原子包括镓原子，所述Ⅲ族重原子的原子量大于或等于镓原子的原子量，所述第二背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度小于所述第一背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度；

所述背面复合透明导电膜还包括：第三背面透明导电膜，所述第三背面透明导电膜位于所述第一背面透明导电膜和所述半导体衬底层之间，所述第三背面透明导电膜的功函数高于第一背面透明导电膜的功函数且高于第二背面透明导电膜的功函数；所述第三背面透明导电膜的迁移率大于所述第一背面透明导电膜的迁移率且大于所述第二背面透明导电膜的迁移率；所述第三背面透明导电膜中掺杂离子的浓度小于所述第一背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度且小于第二背面透明导电膜中Ⅲ族重原子的浓度。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述Ⅲ族重原子包括镓原子；所述第一背面透明导电膜的材料包括掺镓的氧化锌；所述第二背面透明导电膜的材料包括掺镓的氧化锌。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第二背面透明导电膜中镓的质量百分比浓度与所述第一背面透明导电膜中镓的质量百分比浓度的比值为1:2-1:4。

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第一背面透明导电膜中镓的质量百分比浓度为1.5％-2％；所述第二背面透明导电膜中镓的质量百分比浓度为0.5％-1％。

5.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第二背面透明导电膜的厚度与所述第一背面透明导电膜的厚度的比值为1:4-1:3。

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二背面透明导电膜的厚度为10nm-20nm；所述第一背面透明导电膜的厚度为50nm-60nm。

7.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述异质结太阳能电池还包括：位于所述第二背面透明导电膜背向所述第一背面透明导电膜一侧表面的有机封装层。

8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第三背面透明导电膜的材料包括掺钨氧化铟。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述掺钨氧化铟中钨的质量百分比浓度为0.1％-0.3％。

10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第三背面透明导电膜的厚度与第一背面透明导电膜的厚度的比值为1:5-1:6。

11.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括：位于所述背面复合透明导电膜背向所述半导体衬底层一侧的背栅线；

所述背栅线包括第一子背栅线和位于第一子背栅线背向所述半导体衬底层一侧表面的第二子背栅线；所述第一子背栅线的电导率大于所述第二子背栅线的电导率；所述第二子背栅线的熔点小于所述第一子背栅线的熔点。

12.根据权利要求11所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第一子背栅线的材料包括铜；所述第二子背栅线的材料包括锡。

13.根据权利要求11所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

所述第一子背栅线的厚度与所述第二子背栅线的厚度的关系是5:1-9:1。