[发明专利]闪存擦除中断恢复测试方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本发明公开了一种闪存擦除中断恢复测试方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：对闪存中非操作区域写入第一数据信息；对闪存中操作区域写入第二数据信息；选中操作区域的扇区依次循环执行擦除‑查空‑编程‑校验的循环操作，并在擦除过程中按照设定间隔时间中断擦除操作、恢复擦除操作，间隔检测并记录非操作区域的第一数据信息是否产生变化；当选中扇区循环执行操作达到设定的循环次数时，结束循环。该方法使闪存芯片循环进行了多次测试且中断、恢复操作覆盖整个擦除过程，使得测试数据具有代表性，可准确、有效地反映闪存芯片性能，同时，可有效且清楚地反映出擦除中断、恢复操作累积发生对非操作区域数据的影响。

技术领域

本申请涉及芯片技术领域，具体而言，涉及一种闪存擦除中断恢复测试方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

Nor Flash通常有两个功能：存储程序代码和存储数据。Nor Flash主要包括三种数据操作：数据读取、数据编程和数据擦除。CPU对Flash的XIP(芯片内执行)操作是通过向Flash发送读取命令读取Flash中存储的代码来实现的。CPU向Flash存储数据过程是：首先需要先发送擦除指令清空Flash的某个block，然后发送编程指令将用户数据写到block的某个页，最后发送读指令读取并校验数据。通常擦除和编程操作需要一定时间，在操作期间Flash除了能够响应中断命令和状态寄存器读取命令，一般不能响应其他命令。Nor Flash同一个时间只能进行一项操作，即其中一项操作正在进行时，Flash不响应其他操作，如擦除和编程过程中，不会响应读取指令。

CPU从Flash中读取指令时，如果Flash正在做擦除或编程操作，CPU需发送中断指令打断Flash的编程或擦除操作，Flash内部会进行状态保存；取指完毕后，CPU需向Flash发送擦除或编程恢复指令，Flash内部会进行状态恢复，继续完成擦除或编程操作。

由于擦除操作是Flash内部最复杂的算法，内部包含复杂的状态机，还包含高达正负10V电压的开关切换，擦除操作不仅影响正在操作的区域，还会影响非操作区域。芯片设计时需对Flash擦除的中断以及恢复流程进行测试，如果芯片设计对Flash擦除的中断以及恢复流程处理不完备，将会导致Flash内部数据出现跳变，轻则导致数据或代码区数据翻转，重则导致Flash器件永久损坏。现有的Flash擦除的中断以及恢复流程测试方法存在以下缺陷：

1、普遍地为随机去中断擦除操作，中断时间点无法确保覆盖擦除算法的所有时间片段，存在验证不全面风险，即无法全面有效地反映擦除中断、恢复操作对芯片的影响；

2、未检测擦除中断、恢复操作对非操作区域的数据的影响，；

3、实际上擦除中断恢复操作可能会影响Flash内部电压的建立和保持，而传统做法一般采用的较低频率去进行测试，低频率难以测出闪存芯片问题，即无法充分地反映擦除中断、恢复操作对芯片的影响。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种闪存擦除中断恢复测试方法、装置、电子设备及存储介质，以全面、有效、充分地反映擦除中断、恢复操作对芯片的影响。

第一方面，本申请实施例提供了一种闪存擦除中断恢复测试方法，用于对NORFLASH进行中断恢复测试，所述方法包括以下步骤：

S1、对闪存中非操作区域写入第一数据信息，设置总线时钟频率为闪存的极限频率；

S2、对闪存中操作区域写入第二数据信息；

S3、选中操作区域的扇区依次循环执行擦除-查空-编程-校验的循环操作，并在擦除过程中按照设定间隔时间中断擦除操作、恢复擦除操作，在扇区循环执行所述循环操作过程中，间隔检测并记录非操作区域的第一数据信息是否产生变化；

S4、当选中扇区循环执行操作达到设定的循环次数时，结束循环。