[发明专利]闪存擦除中断恢复测试方法、装置、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种闪存擦除中断恢复测试方法，用于对NOR FLASH进行中断恢复测试，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、对闪存中非操作区域写入第一数据信息，设置总线时钟频率为闪存的极限频率；

S2、对闪存中操作区域写入第二数据信息；

S3、选中操作区域的扇区依次循环执行擦除-查空-编程-校验的循环操作，并在擦除过程中按照设定间隔时间中断擦除操作、恢复擦除操作，在扇区循环执行所述循环操作过程中，间隔检测并记录非操作区域的第一数据信息是否产生变化；

S4、当选中扇区循环执行操作达到设定的循环次数时，结束循环；

所述在擦除过程中按照设定间隔时间中断擦除操作、恢复擦除操作的步骤包括：

在开始对存储单元进行擦除操作后，经过中断间隔时间后对闪存芯片发出擦除中断指令以中断擦除操作，然后在发出擦除中断指令延时恢复间隔时间后，对闪存芯片发出恢复擦除指令，使擦除操作继续进行，以此持续进行中断擦除操作、恢复擦除操作，直至本轮次的循环操作中的擦除操作完成。

2.根据权利要求1所述的一种闪存擦除中断恢复测试方法，其特征在于，还包括执行于步骤S1之前的步骤：

S0、测试闪存芯片性能，确保闪存芯片的待机电流、深度睡眠电流以及读写速度正常。

3.根据权利要求2所述的一种闪存擦除中断恢复测试方法，其特征在于，还包括执行于步骤S4之后的步骤：

S5、检查闪存芯片性能，分析闪存芯片的待机电流、深度睡眠电流以及芯片读写速度是否正常。

4.根据权利要求1所述的一种闪存擦除中断恢复测试方法，其特征在于，所述第一数据信息中包含数据0和数据1。

5.根据权利要求1所述的一种闪存擦除中断恢复测试方法，其特征在于，所述步骤S3中“按照设定间隔时间中断擦除操作、恢复擦除操作”的设定间隔包含启动中断擦除操作的中断间隔时间和用于在中断擦除操作后延时启动恢复擦除操作的恢复间隔时间。

6.根据权利要求1所述的一种闪存擦除中断恢复测试方法，其特征在于，步骤S3中可设定间隔阈值，当扇区每执行间隔阈值次数的循环操作时，检测并记录非操作区域的第一数据信息是否产生变化。

7.根据权利要求1所述的一种闪存擦除中断恢复测试方法，其特征在于，步骤S3中所述扇区为从操作区域中随机选择的一个或多个扇区。

8.一种闪存擦除中断恢复测试装置，用于对NOR FLASH进行中断恢复测试，其特征在于，包括：

写入模块，用于对闪存中非操作区域和操作区域分别写入第一数据信息和第二数据信息，以及用于设置总线时钟频率为闪存的极限频率；

选择模块，用于选中操作区域中扇区；

循环操作模块，用于对选择模块选择的扇区循环执行擦除-查空-编程-校验操作，并用于在选中扇区循环执行操作达到设定的循环次数时，结束循环；

中断恢复模块，可间隔性地发出中断擦除操作指令和恢复擦除操作指令；

检测模块，用于检测并记录非操作区域的第一数据信息是否发生变化；

所述中断恢复模块可间隔性地在循环模块进行擦除操作时发出中断擦除操作指令和恢复擦除操作指令；所述检测模块可在所述在循环操作模块对选择扇区进行循环操作的过程中间隔性地检测并记录非操作区域的第一数据信息是否发生变化；

所述间隔性地在循环模块进行擦除操作时发出中断擦除操作指令和恢复擦除操作指令的过程包括：

在开始对存储单元进行擦除操作后，经过中断间隔时间后对闪存芯片发出擦除中断指令以中断擦除操作，然后在发出擦除中断指令延时恢复间隔时间后，对闪存芯片发出恢复擦除指令，使擦除操作继续进行，以此持续进行中断擦除操作、恢复擦除操作，直至本轮次的循环操作中的擦除操作完成。

9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。

10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。