[发明专利]彩膜结构、显示组件及滤波单元的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110716790.3 申请日: 2021-06-25
公开(公告)号: CN113448111A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 陈惠;王进;王巧妮;谢鑫;黄艺芳;丘鹤元;张新宇;汪宗源 申请(专利权)人: 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 李娜
地址: 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 膜结构 显示 组件 滤波 单元 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种彩膜结构,其特征在于,所述彩膜结构包括透明衬底和光色调制层;

所述光色调制层设置在所述透明衬底上;

所述光色调制层包括多组第一滤波单元、第二滤波单元和第三滤波单元,每个所述滤波单元至少包括至少两层层叠设置的光子晶体层,其中,每个所述滤波单元中包括的至少两层所述光子晶体层的晶体带隙不同,从而透过三种所述滤波单元的光线的波段不同。

2.根据权利要求1所述的彩膜结构,其特征在于,所述光子晶体层包括有晶体带隙为绿光的吸收带隙的第一光子晶体层、晶体带隙为蓝光的吸收带隙的第二光子晶体层、晶体带隙为红光的吸收带隙的第三光子晶体层;

所述第一滤波单元包括层叠设置的所述第一光子晶体层和所述第二光子晶体层;

所述第二滤波单元包括层叠设置的所述第二光子晶体层和所述第三光子晶体层;

所述第三滤波单元包括层叠设置的所述第一光子晶体层和所述第三光子晶体层。

3.根据权利要求1所述的彩膜结构,其特征在于,所述彩膜结构还包括黑矩阵;

所述黑矩阵呈格状框式结构,所述滤波单元设置在所述黑矩阵中。

4.一种显示组件,其特征在于,所述显示组件包括权利要求1-3任一项所述的彩膜结构。

5.一种显示组件,包括多组第一显示单元、第二显示单元和第三显示单元,其特征在于,所述显示组件还包括衬底基板、形成在衬底基板上的驱动电路、光强调制层和光色调制层;

所述光强调制层包括有对应于每一显示单元并与所述驱动电路电连接的光强调制单元,所述光色调制层包括有对应于每一显示单元并覆盖所述光强调制单元的滤波单元;

所述滤波单元包括有第一滤波单元、第二滤波单元和第三滤波单元,每个所述滤波单元包括两层层叠设置的光子晶体层,其中,每个所述滤波单元中包括的两层所述光子晶体层的晶体带隙不同,从而透过三种所述滤波单元的光线的波段不同。

6.根据权利要求5所述的显示组件,其特征在于,每个所述光强调制单元包括电光晶体单元和折射介质;

每个所述电光晶体单元对应于一个显示单元并和所述驱动电路电连接,所述折射介质覆盖在所述电光晶体单元上,在所述电光晶体单元两端的电压发生变化的情况下,所述电光晶体单元的折射率发生变化。

7.根据权利要求6所述的显示组件,其特征在于,所述驱动电路包括像素电极、公共电极和场效应管;

每个所述电光晶体单元的两个相对的表面上分别覆设有所述像素电极和所述公共电极,所述像素电极和所述场效应管电连接。

8.根据权利要求7所述的显示组件,其特征在于,所述公共电极呈框状或网格状,从而所述电光晶体单元与所述折射介质相接触。

9.根据权利要求8所述的显示组件,其特征在于,所述场效应管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极;所述漏极和所述像素电极接触。

10.一种滤波单元的制备方法,所述制备方法用于制备权利要求1-3任一项所述的滤波单元,其特征在于,所述制备方法包括:

形成透明衬底,并在所述透明衬底上生长第一硅层;

对所述第一硅层进行电子束刻蚀或者纳米压印,形成第一柱状硅晶体;

调节所述第一柱状硅晶体的晶体参数,形成第一光子晶体层;

在所述第一光子晶体层上生长第二硅层,对所述第二硅层进行电子束刻蚀或者纳米压印,形成第二柱状硅晶体;

调节所述第二柱状硅晶体的晶体参数,形成第二光子晶体层,其中,所述第一光子晶体层和所述第二光子晶体层为所述滤波单元包括的两层不同晶体带隙的光子晶体层,所述晶体参数至少包括晶体的周期、晶体的直径以及晶体的高度。

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