[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备的天线由导电性的材料形为线状，且隔着电介质窗设置于腔室的上方。天线通过向腔室内辐射RF电力来在腔室内生成等离子体。构成天线的线路的两端开放，从电力供给部向线路的中点附近供电，该天线在线路的中点附近被接地，该天线以从电力供给部供给的RF波电力的1/2波长进行谐振。天线的第一部分与电介质窗的下表面之间的距离、以及天线的第二部分与电介质窗的下表面的距离比天线的中间部分与电介质窗的下表面之间的距离长，第一部分是天线的从的第一端部起的第一距离的范围的部分，第二部分是天线的从第二端部起的第二距离的范围的部分，中间部分是天线的第一部分与第二部分之间的部分。

技术领域

本公开的各个方面和实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

作为执行半导体制造工艺之一的处理装置，已知有将处理气体进行等离子体化来进行蚀刻、成膜处理等的等离子体处理。例如在单片式的等离子体处理装置中，要求能够根据其处理种类来将基板的面方向上的等离子体的密度分布调整为适当的分布。具体而言，存在基于处理容器内的构造的情况、与后处理中的基板面内的处理的偏差相对应的情况等。因此，不限于对等离子体的密度分布进行处理使之在基板的整个面内均匀，也有时有意地使等离子体的密度分布在基板的中央部与周缘部之间产生差异。

作为等离子体处理装置中的生成等离子体的方法之一，存在例如向天线供给高频电力以使处理容器内产生感应电场来激励处理气体的方法(例如，参照下述专利文献1)。在该方法中，记载了以下结构：设置作为输出高频的天线的线圈状的内侧天线以及与内侧天线同心的线圈状的外侧天线，使各天线分别以高频的1/2波长的频率进行谐振。根据该等离子体处理装置，能够通过独立地控制向各天线供给的高频电力来细致地调整等离子体的密度的面内分布。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-258324号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够抑制污染的产生并且使处理的均匀性提高的等离子体处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一个方面是等离子体处理装置，其具备：腔室、电介质窗、第一天线以及第一电力供给部。腔室容纳基板。电介质窗构成腔室的上部。第一天线由导电性的材料形成为线状，隔着电介质窗设置于腔室的上方。另外，第一天线通过向腔室内辐射RF(RadioFrequency：射频)电力来在腔室内生成等离子体。第一电力供给部向第一天线供给RF电力。第一天线构成为：构成第一天线的第一线路的两端开放，从第一电力供给部向第一线路的中点或者该中点的附近供电，第一天线在第一线路的中点的附近被接地，第一天线以从第一电力供给部供给的RF波电力的1/2波长进行谐振。第一天线具有第一部分、第二部分以及第一中间部分。第一部分是第一天线的、比从第一端部起朝向第一线路的中央部离开了第一距离的第一位置更靠第一端部侧的部分，该第一端部是第一线路的两端中的一个端部。第二部分是第一天线的、比从第二端部起朝向第一线路的中央部离开了第二距离的第二位置更靠第二端部侧的部分，第二端部是第一线路的两端中的另一个端部。第一中间部分是第一天线的、第一部分与第二部分之间的部分。第一部分与电介质窗的下表面之间的距离、以及第二部分与电介质窗的下表面之间的距离比第一中间部分与电介质窗的下表面之间的距离长。

发明的效果

根据本公开的各个方面和实施方式，能够抑制污染的产生并且使处理的均匀性提高。

附图说明

图1是示出第一实施方式中的等离子体处理装置的一例的概要截面图。

图2是示出第一实施方式中的天线的一例的概要立体图。

图3是用于说明第一实施方式中的天线的形状的一例的示意图。