[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具备：

腔室，其容纳基板；

电介质窗，其构成所述腔室的上部；

第一天线，其由导电性的材料形成为线状，隔着所述电介质窗设置于所述腔室的上方，所述第一天线通过向所述腔室内辐射射频电力来在所述腔室内生成等离子体；以及

第一电力供给部，其向所述第一天线供给射频电力，

其中，所述第一天线构成为：构成所述第一天线的第一线路的两端开放，从所述第一电力供给部向所述第一线路的中点或者该中点的附近供电，所述第一天线在所述中点的附近被接地，所述第一天线以从所述第一电力供给部供给的射频波电力的1/2波长进行谐振，

所述第一天线具有：

第一部分，其是所述第一天线的、比从第一端部起朝向所述第一线路的中央部分离了第一距离的第一位置更靠所述第一端部侧的部分，所述第一端部是所述第一线路的两端中的一个端部；

第二部分，其是所述第一天线的、比从第二端部起朝向所述第一线路的中央部分离了第二距离的第二位置更靠所述第二端部侧的部分，所述第二端部是所述第一线路的两端中的另一个端部；

第一中间部分，其是所述第一天线的、所述第一部分与所述第二部分之间的部分，

其中，所述第一部分与所述电介质窗的下表面之间的距离、以及所述第二部分与所述电介质窗的下表面之间的距离比所述第一中间部分与所述电介质窗的下表面之间的距离长。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在所述第一部分中，随着沿所述第一天线的第一线路从所述第一位置向所述第一端部前进，所述第一部分与所述电介质窗的下表面之间的距离增大，

在所述第二部分中，随着沿所述第一天线的第一线路从所述第二位置向所述第二端部前进，所述第二部分与所述电介质窗的下表面之间的距离增大。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

针对所述第一部分的在所述第一线路上的每个位置，所述第一部分与所述电介质窗的下表面之间的距离是与在该位置处产生的电压的大小相应的距离，

针对所述第二部分的在所述第一线路上的每个位置，所述第二部分与所述电介质窗的下表面之间的距离是与在该位置处产生的电压的大小相应的距离。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一部分与所述电介质窗的下表面之间的距离是使通过在所述第一部分产生的电压而在所述第一部分的下方的所述电介质窗的下表面产生的电场的强度成为预先决定的强度以下的距离，

所述第一部分与所述电介质窗的下表面之间的距离是使通过在所述第二部分产生的电压而在所述第二部分的下方的所述电介质窗的下表面产生的电场的强度成为预先决定的强度以下的距离。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述电介质窗的下表面是平坦的，

所述第一部分以随着沿所述第一天线的所述第一线路从所述第一位置向所述第一端部前进而远离所述电介质窗的下表面的方式延伸，

所述第二部分以随着沿所述第一天线的所述第一线路从所述第二位置向所述第二端部前进而远离所述电介质窗的下表面的方式延伸。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一部分能够以所述第一位置为支点向远离所述电介质窗的方向转动，

所述第二部分能够以所述第二位置为支点向远离所述电介质窗的方向转动。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一部分的下方的所述电介质窗的下表面向远离所述第一天线的方向突出，随着沿所述第一线路从所述第一位置的下方向所述第一端部的下方前进，突出量增大，

所述第二部分的下方的所述电介质窗的下表面向远离所述第一天线的方向突出，随着沿所述第一线路从所述第二位置的下方向所述第二端部的下方前进，突出量增大。