[发明专利]可改善填充均匀性的离子化PVD设备

权利要求书

1.一种可改善填充均匀性的离子化PVD设备，其特征在于，所述离子化PVD设备包括腔体、溅射组件、基座、离子调节器和网格状金属盘；所述溅射组件位于腔体顶部，所述基座位于所述腔体内，所述离子调节器位于腔体内，且位于溅射组件和基座之间；所述离子调节器包括多个磁场调节单元，所述多个磁场调节单元相互间隔，并以所述腔体的中心为中心向外呈放射状分布，各所述磁场调节单元的非磁极面上包覆有软磁材料；所述磁场调节单元包括片状磁铁和电磁线圈中的一种，所述片状磁铁的表面磁场强度沿远离腔体中心的方向逐渐增强，且相邻的片状磁铁的磁极面的磁性相反；所述网格状金属盘位于离子调节器和基座之间，所述网格状金属盘连接至第一射频电源。

2.根据权利要求1所述的离子化PVD设备，其特征在于，所述片状磁铁的厚度沿远离腔体中心方向逐渐增大。

3.根据权利要求1所述的离子化PVD设备，其特征在于，所述片状磁铁的数量为2~40个，片状磁铁的厚度为20mm~80mm。

4.根据权利要求3所述的离子化PVD设备，其特征在于，所述片状磁铁的数量为6~30个，片状磁铁的厚度为30mm~50mm。

5.根据权利要求1所述的离子化PVD设备，其特征在于，所述离子调节器还包括连接环，各所述磁场调节单元远离腔体中心的一端与所述连接环相连接。

6.根据权利要求1所述的离子化PVD设备，其特征在于，所述软磁材料的厚度为2mm~6mm，所述软磁材料包括坡莫合金、电磁纯铁、不锈铁、硅钢和软磁铁氧体中的一种或多种的结合。

7.根据权利要求1所述的离子化PVD设备，其特征在于，所述电磁线圈为矩形状。

8.根据权利要求1所述的离子化PVD设备，其特征在于，所述基座连接至第二射频电源，第二射频电源的电压为50V~200V。

9.根据权利要求1所述的离子化PVD设备，其特征在于，所述离子化PVD设备还包括上电磁铁和下电磁铁，所述上电磁铁与所述溅射组件相邻设置，所述下电磁铁位于所述离子调节器和基座之间。

10.根据权利要求1所述的离子化PVD设备，其特征在于，所述网格状金属盘的厚度为2mm~6mm，第一射频电源的电压为30V~50V。