[发明专利]一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片在审
| 申请号： | 202110701039.6 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113690356A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张晓娜;崔志勇;张向鹏;李勇强 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 郝亮 |
| 地址： | 047500 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属电极 具有 深紫 led 芯片 | ||
1.一种金属电极，其包括粘附层(1)、反应层(2)、阻挡层(3)和保护层(4)，其特征在于，所述反应层(2)为由Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)交替布置的多层结构且所述反应层(2)中的所述Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)的厚度比为1:10。
2.根据权利要求1所述的金属电极，其特征在于，所述反应层(2)中的所有所述Ti膜(2.1)的总厚度为10-40nm。
3.根据权利要求2所述的金属电极，其特征在于，所述反应层(2)中的所有所述Ti膜(2.1)的总厚度为18nm。
4.根据权利要求3所述的金属电极，其特征在于，所述反应层(2)由两层所述Ti膜(2.1)和两层所述Al膜(2.2)交替布置而成且单层所述Ti膜(2.1)的厚度为9nm。
5.根据权利要求3所述的金属电极，其特征在于，所述反应层(2)由三层所述Ti膜(2.1)和三层所述Al膜(2.2)交替布置而成且单层所述Ti膜(2.1)的厚度为6nm。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的金属电极，其特征在于，所述保护层(4)包括Au层(4.1)和位于所述Au层(4.1)上的Ti层(4.2)。
7.根据权利要求6所述的金属电极，其特征在于，所述Au层(4.1)的厚度为40-50nm，所述Ti层(4.2)的厚度为1-3nm。
8.根据权利要求7所述的金属电极，其特征在于，所述Au层(4.1)的厚度为40nm，所述Ti层(4.2)的厚度为2nm。
9.根据权利要求8所述的金属电极，其特征在于，所述粘附层(1)由Cr制成且所述粘附层(1)的厚度为1-30nm。
10.根据权利要求9所述的金属电极，其特征在于，所述粘附层(1)的厚度为20nm。
11.根据权利要求10所述的金属电极，其特征在于，所述阻挡层(3)由Ni或Ti制成。
12.根据权利要求11所述的金属电极，其特征在于，所述阻挡层(3)厚度为40nm。
13.一种深紫外LED芯片，其特征在于，其n电极采用权利要求1-12中任一项所述的金属电极。
14.根据权利要求13所述的深紫外LED芯片，其特征在于，所述n电极设置在在n型AlGaN层上。
15.根据权利要求14所述的深紫外LED芯片，其特征在于，其P电极设置在P型GaN层上。
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