[发明专利]场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110692352.8 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113497152A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李泓纬;马礼修;杨世海;林佑明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/34;H01L23/528;H01L21/768;H01L27/11509;H01L27/11592;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种场效应晶体管，包括：
有源区对，在沟道层上方；
沟道区，形成在所述沟道层中并位于所述有源区对之间；以及
接触通孔结构对，电连接至所述有源区对，其中，所述有源区对与所述接触通孔结构自对准。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述有源区对包括自对准的n+型掺杂区。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，还包括布置在所述接触通孔结构的侧壁上的自对准钝化保护层。
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，还包括位于所述沟道层与形成在所述沟道层上方的层间介电层之间的下钝化保护层，其中，所述下钝化保护层与所述自对准钝化保护层包括相同的材料。
5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述有源区对布置在所述沟道层的顶面上以及所述接触通孔结构的底面上。
6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述沟道层包括铟镓锌氧化物，并且所述有源区对包括AlOx-InOx-ZnOx。
7.一种场效应晶体管，包括：
接触通孔结构对；
有源区对，电连接至所述接触通孔结构对，从而形成有源区对堆叠，其中，所述有源区对与所述接触通孔结构自对准；以及
沟道区，形成在所述沟道层中并位于所述有源区对之间，其中，所述有源区对布置在所述沟道层的底面上。
8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其中，所述有源区对堆叠在三个侧由所述沟道层界定。
9.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其中，所述有源区对包括自对准的n+型掺杂区。
10.一种制造场效应晶体管的方法，包括：
在缓冲层上方的沟槽中沉积字线；
在所述字线上方沉积栅极介电层；
在所述栅极介电层上方沉积半导体沟道层；
对所述半导体沟道层和所述栅极介电层进行图案化；
在所述半导体沟道层上方沉积金属层，其中，所述金属层与所述半导体沟道层直接接触；
对与所述半导体沟道层直接接触的所述金属层进行退火以形成有源区；以及
形成接触通孔结构，其中，所述有源区与所述接触通孔结构自对准。
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