[发明专利]一种氮化铝单晶材料在压电材料中的应用在审
| 申请号： | 202110655187.9 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113308742A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 陈晨龙;李俊谕;王俪霖;蔡文汉;孙姝婧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张琦 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 铝单晶 材料 压电 中的 应用 | ||
1.一种氮化铝单晶材料在压电材料中的应用，其特征在于，所述氮化铝单晶材料为连通纳米孔和纳米壁构成的氮化铝单晶晶体和/或氮化铝单晶薄膜。
2.根据权利要求1所示的应用，其特征在于，所述氮化铝单晶晶体的尺寸为0.1～25cm。
3.根据权利要求1所示的应用，其特征在于，所述氮化铝单晶材料的表面及内部均含有孔径为10～2000nm的孔；
所述氮化铝单晶材料中的孔为三维连通孔。
4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述氮化铝单晶材料中的孔为蠕状。
5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述氮化铝单晶薄膜的厚度为10nm～600μm。
6.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述氮化铝单晶薄膜的表面为氮化铝单晶的(0001)面、面中的至少一面；
所述氮化铝单晶晶体的表面为氮化铝单晶的(0001)面、面、面中的至少一面。
7.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述氮化铝单晶材料的制备方法包括：
将铝酸锂单晶材料在大于500℃下解离，Li和O挥发，所述铝酸锂单晶材料表面分解出的铝与含有氨气的原料气接触反应，发生晶格重构形成氮化铝单晶材料，随着反应进行，所述铝酸锂单晶材料由表及里完全转化，得到所述氮化铝单晶材料。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述反应压力为20托～500托；反应温度为500～1300℃。
9.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述反应时间为10min～100h。
10.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述含有氨气的原料气中，还包括氮气和氢气；
氨气的流量记为a，0.05SLM≤a≤4SLM；
氮气的流量记为b，0SLM≤b≤5SLM；
氢气的流量记为c，0SLM≤c≤5SLM；
优选地，所述铝酸锂单晶材料与含有氨气的原料气接触的是铝酸锂单晶材料的(100)、(010)、(001)面的至少一面；
优选地，所述氮化铝单晶材料的压电常数为5-100Pc/N。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室，未经中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110655187.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
