[发明专利]一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜及其制备方法

权利要求书

1.一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

S1：将基体、NbMoWTa合金靶材和Ag靶材置入真空沉积环境中，将一号电源与NbMoWTa合金靶材连接，将二号电源与Ag靶材连接，向沉积环境中输入离化气体；其中，NbMoWTa合金靶材中Nb、Mo、W和Ta的摩尔质量比为1:1:1:1；

S1中沉积环境的本底真空度为6.3×10^-5Pa；

S2：打开一号电源，以电源功率90～100W、基体偏压-75～-85V、基体转速3～4rpm、沉积速率7.23～7.55nm/min将NbMoWTa合金靶材沉积在基体上得到NbMoWTa合金层，当NbMoWTa合金层厚度为4～5nm后关闭一号电源；

S3：打开二号电源，以电源功率90～100W、基体偏压-75～-85V、基体转速3～4rpm、沉积速率18.55～18.95nm/min将Ag靶材沉积在NbMoWTa合金层上得到Ag层，当Ag层厚度为4～5nm后关闭二号电源；

S4：按照S2将NbMoWTa合金靶材沉积在Ag层上；

S5：重复S3～S4，直至NbMoWTa合金层与Ag层总数为359～363层，且最顶端一层为NbMoWTa合金层，制得耐磨NbMoWTa/Ag多层膜。

2.根据权利要求1所述的一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜的制备方法，其特征在于，所述一号电源为直流电源，所述二号电源为射频电源。

3.根据权利要求1所述的一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜的制备方法，其特征在于，所述离化气体为氩气。

4.根据权利要求3所述的一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜的制备方法，其特征在于，S1中氩气的流速为2.8～3.2sccm。

5.根据权利要求1所述的一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜的制备方法，其特征在于，所述基体为单晶硅基体。

6.根据权利要求5所述的一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜的制备方法，其特征在于，所述单晶硅基体 单面抛光，且在使用前首先用丙酮清洗15～30分钟，后用酒精清洗15～30分钟，酒精清洗完毕后干燥。

7.一种权利要求1～6任一项所述的制备方法制备得到的耐磨NbMoWTa/Ag多层膜。