[发明专利]任意方向自由路径阶梯通孔、基板及通孔结构的制作方法有效
| 申请号: | 202110628543.8 | 申请日: | 2021-06-07 |
| 公开(公告)号: | CN113260173B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 陈先明;冯磊;黄本霞;洪业杰 | 申请(专利权)人: | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H05K3/40 | 分类号: | H05K3/40;H05K3/42;H05K1/11;H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑晨鸣 |
| 地址: | 519175 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 任意 方向 自由 路径 阶梯 结构 制作方法 | ||
本申请公开了一种任意方向自由路径阶梯通孔、基板及通孔结构的制作方法,该通孔结构的制作方法包括步骤:提供载板,在载板上制作第一结构,去除载板,在第一结构的上表面和下表面分别形成第二结构和第三结构,在第一结构、第二结构和第三结构内分别形成第一牺牲金属柱、第二牺牲金属柱和第三牺牲金属柱,第一牺牲金属柱、第二牺牲金属柱和第三牺牲金属柱中任意两个连通处形成台阶,任意两个形成的台阶可相对前后左右任意分布,去除第一牺牲金属柱、第二牺牲金属柱和第三牺牲金属柱,形成通孔,并对通孔孔壁进行金属化处理,本申请提出的通孔结构、通孔直径小,通孔结构设计自由度高,可以选择最优的方向和路径,合理避开基板内外层的线路。
技术领域
本申请涉及电路板技术领域,尤其涉及一种任意方向自由路径阶梯通孔、基板及通孔结构的制作方法。
背景技术
在传统电路板领域中,通孔主要起到两个方面的作用。第一是进行电性导通,通过金属导通孔将不同线路层进行导通,此类通孔需进行金属化实现层与层之间的导通;第二是进行器件的定位、固定,此类通孔通常不需进行金属化,但随着电子电路技术的发展,集成电路的功能要求越来越高,通孔的功能、作用不断得到挖掘,应用也越来越广泛,例如:焊接、封装过程中,基板通孔可以起到排气、散热等作用;在传感产品应用中,通孔可以传音,起到声音传感的作用,因此通孔在电子电路技术领域扮演越来越重要的角色。
现有技术中,基板通孔主要为垂直贯穿基板的孔,通常选择机械钻孔、镭射钻孔或者以冲孔的方式一次成型,受限于基板的厚度以及现有钻孔、冲孔的制程能力,通常仅能满足通孔直径200um以上的加工,对于200um以下的基板导通孔,加工难度大、成本高,甚至完全无法加工;另外采用钻孔或者冲孔的方式制造通孔,通孔的方向及路径单一,不能根据基板内外层线路的布线位置进行避让,无法自由调整基板通孔的方向和路径。
发明内容
本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本申请提出一种任意方向自由路径阶梯通孔、基板及通孔结构的制作方法,可以实现小孔径的通孔制作,解决现有技术中基板小孔径通孔加工困难的问题,此外,本申请提供的通孔结构设计自由度高,可以选择最优的方向和路径,合理避开基板内外层的线路。
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。所述技术方案如下:
第一方面,本申请实施例提供一种通孔结构的制作方法,包括以下步骤:
提供载板,在所述载板上制作第一结构,所述第一结构包括表面齐平的第一金属柱和第一绝缘层,所述第一金属柱通过所述第一绝缘层间隔分布,所述第一金属柱包括第一导通金属柱和第一牺牲金属柱;
去除所述载板,在所述第一结构的上表面和下表面分别形成第二结构和第三结构,所述第二结构包括第二线路层、第二绝缘层和第二金属柱,所述第二金属柱包括第二导通金属柱和第二牺牲金属柱,所述第三结构包括第三线路层、第三绝缘层和第三金属柱,所述第三金属柱包括第三导通金属柱和第三牺牲金属柱,所述第二绝缘层和所述第三绝缘层与所述第一绝缘层的两端连接,所述第二导通金属柱和所述第三导通金属柱分别通过所述第一线路层和所述第二线路层与所述第一导通金属柱的两端相连通;所述第二牺牲金属柱和所述第三牺牲金属柱与所述第一牺牲金属柱的两端相连通,
其中,所述第一牺牲金属柱、所述第二牺牲金属柱和所述第三牺牲金属柱中任意两个连通处形成台阶,任意两个所述形成的台阶可相对前后左右任意分布。
分别在所述第二结构的上表面和所述第三结构的下表面形成第三线路层和第四线路层,所述第三线路层和所述第四线路层分别与所述第二导通金属柱的上表面和所述第三导通金属柱的下表面相连通;
去除所述第一牺牲金属柱、所述第二牺牲金属柱和所述第三牺牲金属柱,形成通孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海越亚半导体股份有限公司,未经珠海越亚半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110628543.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





