[发明专利]一种键合圆片的磨片封装结构和磨片方法

权利要求书

1.一种键合圆片的磨片方法，其特征在于，其包括：

提供键合圆片，所述键合圆片包括第一半导体圆片和第二半导体圆片，其中每个半导体圆片均包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面，第一表面为圆片的线路面；所述第一半导体圆片的第一表面与所述第二半导体圆片的第一表面相对且键合在一起；所述第二半导体圆片的直径小于所述第一半导体圆片的直径，所述第二半导体圆片的边缘位于所述第一半导体圆片的边缘的内侧，在所述键合圆片的边缘存在台阶；

将保护膜贴附于所述第二半导体圆片的第二表面；

在所述键合圆片的边缘台阶处涂覆保护胶并固化，以形成保护胶层，所述保护胶层位于所述第一半导体圆片的第一表面且环绕所述第二半导体圆片；

自所述第一半导体圆片的第二表面进行背面减薄，将所述第一半导体圆片减薄至预定厚度；

去除所述键合圆片的所述边缘台阶处的所述保护胶层；

去除贴附于所述第二半导体圆片的第二表面的所述保护膜。

2.根据权利要求1所述的键合圆片的磨片方法，其特征在于，

所述保护膜的直径小于或等于所述第二半导体圆片的直径；

所述保护膜的边缘不超过所述第二半导体圆片的边缘。

3.根据权利要求1所述的键合圆片的磨片方法，其特征在于，

所述保护胶层的外边缘不超出所述第一半导体圆片的边缘，所述保护胶层的内边缘不超出所述第二半导体圆片的外边缘。

所述保护胶层高度不超出所述保护膜。

4.根据权利要求1-3任一所述的键合圆片的磨片方法，其特征在于，

所述键合圆片还包括至少一个腔体，

所述腔体位于所述第一半导体圆片的第一表面和所述第二半导体圆片的第一表面之间；所述腔体内为真空，或所述腔体内填充有加压气态物质。

5.根据权利要求4所述的键合圆片的磨片方法，其特征在于，

所述键合圆片还包括至少一个可移动部件，

所述可移动部件位于对应的所述腔体内。

6.根据权利要求1-3任一所述的键合圆片的磨片方法，其特征在于，

至少一个所述半导体圆片包括微机电系统电路或集成电路，

至少一个所述微机电系统电路或集成电路位于其所在的所述半导体圆片的第一表面。

7.根据权利要求1所述的键合圆片的磨片方法，其特征在于，

所述保护胶层的材料至少包含以下一种材料：环氧树脂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、阻焊膜、聚酰亚胺、苯并环丁烯、聚对二甲苯、聚萘、碳氟化合物和丙烯酸酯；

所述半导体圆片的材料至少包含以下一种：玻璃、硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮和镓、氧化铝、铜、铝、铁镍钴合金；所述半导体圆片中需进行磨片的圆片材料为硅；

所述第二半导体圆片和第一半导体圆片的直径差小于20mm。

8.一种键合圆片的磨片封装结构，其特征在于，其包括：

键合圆片，其包括第一半导体圆片和第二半导体圆片，其中每个半导体圆片均包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面，第一表面为圆片的线路面；所述第一半导体圆片的第一表面与所述第二半导体圆片的第一表面相对且键合在一起；所述第二半导体圆片的直径小于所述第一半导体圆片的直径，所述第二半导体圆片的边缘位于所述第一半导体圆片的边缘的内侧，在所述键合圆片的边缘存在台阶；

保护膜，其附于所述第二半导体圆片的第二表面；

保护胶层，其填充于所述键合圆片的所述边缘台阶处，所述保护胶层位于所述第一半导体圆片的第一表面且环绕所述第二半导体圆片。

9.根据权利要求8所述的键合圆片的磨片封装结构，其特征在于，

所述保护膜的直径小于或等于所述第二半导体圆片的直径；

所述保护膜的边缘不超过所述第二半导体圆片的边缘。