[发明专利]有机发光二极管显示装置及其像素在审

专利信息
申请号: 202110597605.3 申请日: 2021-05-31
公开(公告)号: CN113763887A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 朴世爀;林栽瑾;金鸿洙;卢珍永;李孝真 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 严芬;康泉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示装置 及其 像素
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示装置的像素,所述像素包括:

电容器,包括耦接至第一电源电压的线的第一电极和耦接至栅极节点的第二电极;

第一晶体管,包括耦接至所述栅极节点的栅极;

第二晶体管,响应于扫描信号将数据电压传输至所述第一晶体管的源极;

第三晶体管,响应于所述扫描信号二极管连接所述第一晶体管,其中所述第三晶体管包括在所述第一晶体管的漏极和所述栅极节点之间彼此串联耦接的第一子晶体管和第二子晶体管;

第四晶体管,响应于初始化信号将初始化电压施加至所述栅极节点,其中所述第四晶体管包括在所述初始化电压的线和所述栅极节点之间彼此串联耦接的第三子晶体管和第四子晶体管;

第五晶体管,响应于发射信号将所述第一电源电压的所述线与所述第一晶体管的所述源极耦接;

第六晶体管,响应于所述发射信号将所述第一晶体管的所述漏极与有机发光二极管的阳极耦接;

第七晶体管,响应于所述初始化信号将所述初始化电压施加至所述有机发光二极管的所述阳极;

第八晶体管,响应于所述发射信号将参考电压施加至所述第一子晶体管和所述第二子晶体管之间的第一节点;

第九晶体管,响应于所述发射信号将所述参考电压施加至所述第三子晶体管和所述第四子晶体管之间的第二节点;以及

所述有机发光二极管,包括所述阳极和耦接至第二电源电压的线的阴极。

2.根据权利要求1所述的像素,其中:

所述第八晶体管在发射时段中将所述参考电压施加至所述第一节点,使得在所述发射时段中在所述栅极节点和所述第一节点之间的泄漏电流减小,并且

其中所述第九晶体管在所述发射时段中将所述参考电压施加至所述第二节点,使得在所述发射时段中在所述栅极节点和所述第二节点之间的泄漏电流减小。

3.根据权利要求1所述的像素,其中所述参考电压的电压电平基于所述数据电压和所述第一晶体管的阈值电压来确定。

4.根据权利要求1所述的像素,其中所述第一子晶体管包括接收所述扫描信号的栅极、耦接至所述第一晶体管的所述漏极的第一端子以及耦接至所述第一节点的第二端子,

其中所述第二子晶体管包括接收所述扫描信号的栅极、耦接至所述第一节点的第一端子以及耦接至所述栅极节点的第二端子,

其中所述第三子晶体管包括接收所述初始化信号的栅极、耦接至所述初始化电压的所述线的第一端子以及耦接至所述第二节点的第二端子,并且

其中所述第四子晶体管包括接收所述初始化信号的栅极、耦接至所述第二节点的第一端子以及耦接至所述栅极节点的第二端子。

5.根据权利要求1所述的像素,其中所述第二晶体管包括接收所述扫描信号的栅极、耦接至数据线的第一端子以及耦接至所述第一晶体管的所述源极的第二端子,

其中所述第五晶体管包括接收所述发射信号的栅极、耦接至所述第一电源电压的所述线的第一端子以及耦接至所述第一晶体管的所述源极的第二端子,

其中所述第六晶体管包括接收所述发射信号的栅极、耦接至所述第一晶体管的所述漏极的第一端子以及耦接至所述有机发光二极管的所述阳极的第二端子,并且

其中所述第七晶体管包括接收所述初始化信号的栅极、耦接至所述初始化电压的所述线的第一端子以及耦接至所述有机发光二极管的所述阳极的第二端子。

6.根据权利要求1所述的像素,其中所述第八晶体管包括接收所述发射信号的栅极、耦接至所述参考电压的线的第一端子以及耦接至所述第一节点的第二端子,并且

其中所述第九晶体管包括接收所述发射信号的栅极、耦接至所述参考电压的所述线的第一端子以及耦接至所述第二节点的第二端子。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的像素,其中用于所述像素的帧时段包括:

初始化时段,所述栅极节点和所述有机发光二极管的所述阳极在所述初始化时段中被初始化;

数据写入时段,从所述数据电压中减去所述第一晶体管的阈值电压得到的电压在所述数据写入时段中被存储在所述电容器的所述第二电极处;以及

发射时段,所述有机发光二极管在所述发射时段中发光。

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