[发明专利]一种怀地黄的脱毒方法

权利要求书

1.一种怀地黄的脱毒方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、茎尖剥离

无菌条件下，将感染病毒的地黄无菌苗剥去幼叶，切取带2个叶原基的茎尖；

步骤2、茎尖脱毒培养：

S1、茎尖电流刺激处理：

将步骤1切取的茎尖浸泡于无菌水中，然后进行弱电流刺激处理；

其中，弱电流刺激处理的条件为：于体积分数为1％的TAE电泳缓冲液中，在5-30mA电流条件下刺激处理1-10min，得电流刺激茎尖；

S2、茎尖培养：

将步骤S1的电流刺激茎尖接种于培养基内，并培育30-45d，经脱毒检测后得脱毒怀地黄。

2.根据权利要求1所述的一种怀地黄的脱毒方法，其特征在于，所述电流刺激的条件为：于15mA电流条件下刺激处理1-10min。

3.根据权利要求1所述的一种怀地黄的脱毒方法，其特征在于，所述电流刺激的条件为：于15mA电流条件下刺激处理5min。

4.根据权利要求1所述的一种怀地黄的脱毒方法，其特征在于，所述叶原基茎尖的尺寸为0.3×(0.05-0.1)mm²。

5.根据权利要求1所述的一种怀地黄的脱毒方法，其特征在于，所述步骤S2的培养基以MS液体培养基为溶剂，向其中加入0.5mg·L^-1的6-苄氨基嘌呤、0.1mg·L^-1萘乙酸、0.1mg·L^-1赤霉素、30g·L^-1蔗糖和6g·L^-1琼脂粉，混匀。

6.根据权利要求5所述的一种怀地黄的脱毒方法，其特征在于，将所述培养基的pH值调至5.8-6.0，并于高温高压下灭菌20min。

7.根据权利要求6所述的一种怀地黄的脱毒方法，其特征在于，所述高温高压的条件为121℃蒸汽灭菌。

8.根据权利要求1所述的一种怀地黄的脱毒方法，其特征在于，所述步骤S2的培养条件为：于(24±2)℃，光照强度50-60μmol·m^-2·s^-1条件下照射14h·d^-1。