[发明专利]一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置在审

专利信息
申请号: 202110557623.9 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113285008A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 陈琅;李特;王贞福;于学成 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01S5/024;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 史晓丽
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 功率 光源 芯片 喷射 降压 强化 散热 装置
【说明书】:

发明的目的是解决在满足现有散热装置的散热能力前提下,如何降低散热装置内部压强的问题,而提供一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置。该散热装置包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片、上冷却叠片、导流叠片、下冷却叠片和下密封叠片。导流叠片上设置有面阵喷射结构,面阵喷射结构由N×M个喷射孔组成,其中N为列,M为行;上冷却叠片的第四镂空微结构内,与面阵喷射结构相对应的位置设有热量导引片,热量导引片采用铜或金刚石或碳化硅制作,包括X个的筋条,X个的筋条构成X+1个微型通道,每个筋条与其相邻筋条的距离相等;最外侧微型通道的宽度大于内侧。面阵喷射结构用于降压,热量导引片用于补偿面阵喷射结构的温升。

技术领域

本发明涉及半导体光电子技术领域,具体涉及一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置。

背景技术

半导体光源芯片应用广泛,例如科研,工业等行业,对光源产品的参数性能要求逐步提高。半导体光源芯片一般有20%-30%的电功率转换为热能,热量直接作用于芯片,增加温升,影响芯片的可靠性及寿命。而温升与效率形成负反馈,若降低光电转换效率,严重直接烧毁。

现有半导体光源芯片散热装置的设计,主要是通过更改微通道的结构,提升湍流流动状态,以增大换热系数,例如射流单孔的设计。现有散热装置的设计及原理见图1-3,该散热装置包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片05、上冷却叠片04、导流叠片03、下冷却叠片02和下密封叠片01。下密封叠片01包括相互隔离的入水口06与出水口013;下冷却叠片02上设有与入水口06位置相对应的第一镂空微结构07,以及与出水口013位置相对应的第三镂空微结构012,且两者相互隔离,第一镂空微结构07内设有由若干个筋板构成宽度相同的若干个第一冷却通道08,第三镂空微结构012沿下冷却叠片02两侧延伸至第一冷却通道08,若干个第一冷却通道08的长度由中间区域向两边区域递减;导流叠片03上设有与第一冷却通道08位置相对应的若干个射流孔09、与第三镂空微结构012完全相同的第二镂空微结构011,以及与第一镂空微结构07位置相对应的第二入水口014,且三者相互隔离;上冷却叠片04包括相互隔离的第四镂空微结构015、第三入水口016和第二出水口017,第四镂空微结构015上设有由若干个筋板构成的第二冷却通道010,且与若干个射流孔09的位置相对应,第三入水口016和第二出水口017的位置分别对应于第二入水口014、第二镂空微结构011;上密封叠片05包括相互隔离的第四入水口018与第三出水口019。

冷却水的流动方向如图2所示,冷却水从下密封叠片01的入水口06进入第一镂空微结构07后经过第一冷却通道08,再通过射流孔09进入第二冷却通道010后,依次进入第四镂空微结构015、第二镂空微结构011与第三镂空微结构012,最终从出水口013流出。

上述散热装置主要通过提升内部冷却水湍流流动状态,增大换热系数。如图3所示,导流叠片03顶部设置0.20mm*1.00mm射流孔09,虽然增大了换热系数,提高了散热装置的散热能力,但冷却水流过的有效面积占比较小,使得换热装置内部的压强急剧增大,进而冷却水所需的驱动力变大,不仅造成能源浪费,而且对器件的耐压性能的要求较高,导致散热装置的可靠性变差,尤其将多个散热装置组装成叠阵时,对驱动压力以及密封性能的要求会更高。因此,如何在不降低散热装置的散热能力的情况下,降低散热装置内部的压强,进而降低冷却液的驱动压力,是一个急需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是解决在满足现有散热装置的散热能力前提下,如何降低散热装置内部压强的问题,而提供一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置。

为实现上述目的,本发明所提供的技术方案如下:

一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置,包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片、上冷却叠片、导流叠片、下冷却叠片和下密封叠片;

所述下密封叠片上设置相互隔离的第一入水口和第一出水口;

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