[发明专利]一种单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110557304.8 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113299905B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 何雅;梅京;孙杰;周永;姚远;王斌 申请(专利权)人: 湖北融通高科先进材料集团股份有限公司
主分类号: H01M4/505 分类号: H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 严政
地址: 435100 湖北省黄*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶镍钴锰酸锂 三元 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

(1)将三元523单晶前驱体、锂源和含有掺杂元素的纳米助熔剂进行混合,控制锂源和三元523单晶前驱体的重量比为(0.5-1):1,然后进行煅烧,得到D50为6-9μm的团聚体结构晶种;

(2)将步骤(1)得到的团聚体结构晶种与三元523单晶前驱体和锂源混合,得到混合料,然后将混合料进行煅烧,得到单晶镍钴锰酸锂三元材料;

其中,所述三元523单晶前驱体的化学式为Ni0.5Co0.2Mn0.3(OH)2

在步骤(1)中,所述掺杂元素选自Zr、Ti、Mg、Al和B中的至少一种;所述掺杂元素的重量为所述三元523单晶前驱体的重量的0.1-0.35重量%;

在步骤(2)中,所述锂源中的锂元素的物质的量与所述三元523单晶前驱体中镍钴锰三种元素总物质的量的比为(0.9-1.02):1;所述混合料中含有10-20重量%的团聚体结构晶种;

在步骤(2)中,所述煅烧的具体过程为:以1-5℃/min升温速率升到700-800℃煅烧2-4h,继续以1-4℃/min升温速率升到920-940℃煅烧6-10h。

2.根据权利要求1所述的单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法,其特征在于,所述锂源为碳酸锂。

3.根据权利要求1或2所述的单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述煅烧的条件包括:升温速率为2-5℃/min,煅烧温度为600-800℃,煅烧时间为18-24h。

4.根据权利要求3所述的单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述煅烧的气氛为空气。

5.根据权利要求1或2所述的单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述纳米助熔剂为含掺杂元素的氧化物、氟化物、氢氧化物、碳酸盐和碱式碳酸盐中的一种或多种的混合物。

6.根据权利要求1或2所述的单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述混合在VC混料机中进行。

7.根据权利要求1或2所述的单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中,所述混合在高混机中进行。

8.根据权利要求1或2所述的单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中,所述煅烧的气氛为空气。

9.根据权利要求1或2所述的单晶镍钴锰酸锂三元材料的制备方法,其特征在于,在步骤(1)和(2)中,煅烧在马弗炉中进行。

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