[发明专利]掩膜装置及蒸镀方法有效

专利信息
申请号: 202110544680.3 申请日: 2021-05-19
公开(公告)号: CN113278918B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 齐英旭;王亚;卓林海;田斌;郭宏伟;于上智 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24
代理公司: 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 代理人: 唐维虎
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种掩膜装置(100),其特征在于,包括:

图形区域(10),以及

环绕所述图形区域(10)的掩膜本体(20);

所述掩膜本体(20)开设有向所述图形区域(10)延伸的沟槽(21),所述沟槽(21)靠近所述图形区域(10)的一端具有用于对蒸镀材料进行阻隔的封堵部(22);

其中,所述掩膜装置(100)用于对基板(30)进行蒸镀,所述掩膜装置(100)与所述基板(30)进行蒸镀对位后,所述封堵部(22)在所述基板(30)上的正投影区域覆盖所述基板(30)上的功能组件(31)所在区域,以防止蒸镀材料通过所述沟槽(21)蒸镀到所述功能组件(31)上。

2.根据权利要求1所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述封堵部(22)包括第一表面(221)以及连接在所述第一表面(221)和所述沟槽(21)的底面(211)之间的第一侧面(222),所述掩膜本体(20)包括用于与待蒸镀的基板(30)接触的第二表面(201),所述第一表面(221)与所述第二表面(201)共面。

3.根据权利要求2所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述第一侧面(222)与所述底面(211)斜交;

优选地,所述第一侧面(222)与所述底面(211)斜交形成的夹角为钝角。

4.根据权利要求3所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述封堵部(22)还包括靠近所述图形区域(10)一侧的第二侧面(223),所述掩膜本体(20)还包括靠近所述图形区域(10)一侧的第三侧面(202),所述第二侧面(223)与所述第三侧面(202)共面;

优选地,所述第二侧面(223)与所述第一侧面(222)平行。

5.根据权利要求2所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述第一表面(221)在所述沟槽(21)延伸方向上的宽度为0.5mm~1mm。

6.根据权利要求2-5任一项所述的掩膜装置(100),其特征在于,还包括加强件(40);

所述加强件(40)固定设置于所述第一表面(221)以及所述第二表面(201)。

7.根据权利要求1所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述封堵部(22)用于遮挡待蒸镀的基板(30)上设置的功能组件(31)。

8.根据权利要求2-5任一项所述的掩膜装置(100),其特征在于,沿着远离所述图形区域(10)的方向,所述沟槽(21)的底面(211)与所述第一表面(221)所在平面之间的垂直间距递增。

9.根据权利要求8所述的掩膜装置(100),其特征在于,所述沟槽(21)还包括第四侧面(212)以及连接在所述第四侧面(212)与所述底面(211)之间的弧面(213)。

10.一种蒸镀方法,其特征在于,采用权利要求1-9任一项所述的掩膜装置(100)对基板(30)进行蒸镀,所述方法包括:

将掩膜装置(100)与基板(30)进行蒸镀对位,使得封堵部(22)在基板(30)上的正投影区域覆盖功能组件(31)所在区域;

将蒸镀对位后的所述掩膜装置(100)与所述基板(30)进行压合;

从所述掩膜装置(100)远离所述基板(30)的一侧对所述基板(30)进行蒸镀,以在所述基板(30)上与所述图形区域(10)对应的区域形成蒸镀材料层。

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