[发明专利]半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其特征在于，包括：

支架，包括底座和侧板；所述底座具有相对设置的第一表面和第二表面，所述侧板沿所述底座的周向布置在所述第一表面上；所述底座和所述侧板围合成一个用于容纳发光元件的空腔；所述侧板靠近空腔一侧的侧壁为侧板内壁；

发光元件，设置在所述第一表面上；

反射层，覆盖所述侧板内壁的全部区域或者部分区域；在与所述第一表面垂直的方向上所述反射层的高度H₂等于或大于所述侧板的高度H₁的90％。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，在预定高度H₃处所述反射层的厚度D₁介于65μm～360μm；所述预定高度H₃为所述侧板的高度H₁的80％～95％。

3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，在预定高度H₃处所述反射层的厚度D₁介于110μm～210μm；所述预定高度H₃为所述侧板的高度H₁的80％～95％。

4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述侧板内壁包括有弧形侧壁，且所述弧形侧壁的开口朝向所述空腔；在与所述第一表面垂直的方向上所述弧形侧壁的斜率自下而上逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述侧板内壁包括有弧形侧壁，所述弧形侧壁的50％高度处的斜率为tan40°～tan60°。

6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述侧板内壁包括有弧形侧壁，所述弧形侧壁的75％高度处的斜率为tan60°～tan90°。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述侧板内壁的全部壁面为所述弧形侧壁。

8.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述侧板内壁包括第一内壁和第二内壁，所述第一内壁靠近所述侧板的顶部，所述第二内壁靠近所述侧板的底部；所述第一内壁为所述弧形侧壁。

9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第一内壁位于所述侧板的50％高度以上。

10.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第一内壁与所述第二内壁形成台阶结构，且在与所述第一表面平行的方向上所述第二内壁超出所述第一内壁。

11.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第二内壁为所述弧形侧壁；或者，所述第二内壁的壁面为倾斜面。

12.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第一表面设置有环绕于所述发光元件外围的挡墙，所述挡墙具有相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁位于所述挡墙远离发光元件的一侧；所述反射层靠近第一表面的端部覆盖所述第一侧壁。

13.根据权利要求12所述的半导体发光装置，其特征在于，所述发光元件靠近挡墙的侧部与所述第二侧壁之间的最大距离D₂为0～50μm。

14.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述反射层是具有光反射性或光散射性的填料与透明树脂掺杂所制成的构件；所述填料包括二氧化钛、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、二氧化锆或者硫酸钡。