[发明专利]一种多器件分次嵌埋封装基板及其制造方法

权利要求书

1.一种多器件分次嵌埋封装基板的制造方法，包括如下步骤：

(a)准备有机基质基板，所述有机基质基板包括贯穿所述有机基质基板的第一导通铜柱层和第一回环条形铜柱层，其中所述第一回环条形铜柱层包括至少一个回环条形铜柱；

(b)蚀刻所述第一回环条形铜柱层内的一个回环条形铜柱并剔除其内的介电材料，形成第一器件放置口框，制得第一介电层；

(c)在所述第一器件放置口框的底部贴装第一器件，并在所述第一介电层的上表面及所述第一器件与所述第一器件放置口框的间隙内形成第一封装层；

(d)在所述第一封装层上形成第一布线层，在所述第一介电层上形成第二布线层，使得所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一导通铜柱层导通连接，所述第一器件的端子与所述第二布线层导通连接，所述第一器件的背面与所述第二布线层连接；

(e)在所述第一布线层上形成第二导通铜柱层、散热铜柱层和第二回环条形铜柱层，在所述第二布线层上形成第三导通铜柱层和第三回环条形铜柱层，使得所述第一器件与所述散热铜块层通过所述第一布线层连接，所述第二回环条形铜柱层和所述第三回环条形铜柱层分别与所述第一回环条形铜柱层纵向重合；

(f)在所述第一介电层的上方和下方分别层压介电材料，减薄所述介电材料，暴露所述第二导通铜柱层、所述散热铜柱层和所述第二回环条形铜柱层的端部形成第二介电层，暴露所述第三导通铜柱层和第三回环条形铜柱层的端部形成第三介电层；

(g)同时蚀刻所述第一回环条形铜柱层、所述第二回环条形铜柱层和所述第三回环条形铜柱层纵向上处于相同位置的回环条形铜柱，并剔除其内的介电材料，形成第二器件放置口框；

(h)在所述第二器件放置口框的底部贴装第二器件，并在第二介电层的上表面及所述第二器件与所述第二器件放置口框的间隙内形成第二封装层；

(i)在所述第二封装层上形成第三布线层，在所述第三介电层上形成第四布线层，使得所述第一布线层与所述第三布线层通过所述第二导通铜柱层导通连接，所述第二布线层与所述第四布线层通过所述第三导通铜柱层导通连接，所述第一器件的端子与所述第四布线层导通连接，所述第一器件的背面与所述第三布线层连通。

2.根据权利要求1所述的多器件分次嵌埋封装基板的制造方法，其中所述第一导通铜柱层的端部和所述第一回环条形铜柱层的端部分别与所述有机基质基板平齐或高出所述有机基质基板。

3.根据权利要求1所述的多器件分次嵌埋封装基板的制造方法，其中步骤(c)包括：

(c1)在所述第一介电层的底部设置第一粘合层；

(c2)将所述第一器件置入所述第一器件放置口框内，其中所述第一器件的端子面附着在所述第一粘合层上；

(c3)在所述第一介电层的上表面及所述第一器件与所述第一器件放置口框的间隙层压感光封装材料；

(c4)曝光显影所述感光封装材料，暴露所述第一导通铜柱层和所述第一回环条形铜柱层的端部以及所述第一器件的背面，形成第一封装层；

(c5)移除所述第一粘合层。

4.根据权利要求1所述的多器件分次嵌埋封装基板的制造方法，其中步骤(d)包括：

(d1)在所述第一封装层上形成第一金属种子层，在所述第一介电层上形成第二金属种子层；

(d2)在所述第一金属种子层上施加第一光刻胶层，在所述第二金属种子层上施加第二光刻胶层；

(d3)曝光显影所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层，分别形成第一特征图案和第二特征图案；

(d4)在所述第一特征图案中电镀形成第一布线层，在所述第二特征图案中电镀形成第二布线层；

(d5)移除所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层。