[发明专利]一种用于制备二维材料的方法

权利要求书

1.一种用于制备二维材料的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤(1)：将衬底置于化学气相沉积系统中，通入氩氧混合气或者高纯氧气，高温退火所述衬底，使所述衬底产生周期性的台阶；

步骤(2)：将表面改性材料粘贴在所述经退火的衬底的表面上，对其进行表面改性处理；

步骤(3)：将所述表面改性材料从所述经表面改性处理的衬底的表面移除；

步骤(4)：将用于形成所述二维材料的物质与所述经表面改性处理的衬底依次放置于三温区化学气相沉积系统的第一温区、第二温区与第三温区，形成所述二维材料；

步骤(5)：在所述二维材料生长完成后停止氧气的通入，三个温区均停止加热，自然降温至室温取出样品；

步骤(6)：将所述二维材料与所述衬底分离，得到目标产物。

2.根据权利要求1所述的制备二维材料的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、二氧化硅、玻璃、石英、云母中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的制备二维材料的方法，其特征在于，所述退火温度为900℃-1000℃。

4.根据权利要求1或2所述的制备二维材料的方法，其特征在于，所述表面改性材料为聚二甲基硅氧烷。

5.根据权利要求1或2所述的制备二维材料的方法，其特征在于，所述第一温区的温度为100℃-150℃，所述第二温区的温度为450℃-650℃，所述第三温区的温度为800℃-1000℃。

6.根据权利要求1或2所述的制备二维材料的方法，其特征在于，将所述化学气相沉积的腔体气压保持在约1torr左右，将所述第一温区、所述第二温区与所述第三温的温度区维持约40分钟。

7.根据权利要求1或2所述的制备二维材料的方法，其特征在于，所述二维材料为过渡族金属硫属化物。

8.根据权利要求7所述的制备二维材料的方法，其特征在于，所述过渡族金属硫属化物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨中的一种。

9.根据权利要求8所述的制备二维材料的方法，其特征在于，所述过渡族金属硫属化物为二硫化钼。

10.根据权利要求1或2所述的制备二维材料的方法，其特征在于，所述用于形成二维材料的物质为硫粉和三氧化钼。