[发明专利]一种碳化硅捣打料的成型方法在审

专利信息
申请号: 202110505130.0 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN113292348A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 仓向辉;张树朝;王锦;卢成 申请(专利权)人: 中国铝业股份有限公司
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66;C04B35/565
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 王瑞琳
地址: 100082 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 捣打料 成型 方法
【权利要求书】:

1.一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述方法包括:

将碳化硅捣打料加入磷酸二氢铝溶液中混匀,获得混合料;

将所述混合料于模具中捣打直至体积稳定,获得成型料;

将所述成型料脱模取出后烘烤,获得捣打料测试样品。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述碳化硅捣打料的质量与所述磷酸二氢铝溶液的体积的比值为(190~210)g:(6~12)mL。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述磷酸二氢铝溶液的密度ρ=(1.4~1.5)g/cm3

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述将碳化硅捣打料加入磷酸二氢铝溶液中混匀,获得混合料,包括:

将碳化硅捣打料加入磷酸二氢铝溶液中混合后,在140~200rpm转速下搅拌40~60s以混匀,获得混合料。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述捣打中,采用重量为6~7kg、自由行程为40~60mm的捣打锤下成型。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述烘烤依次包括第一烘烤、第二烘烤和第三烘烤;所述第一烘烤的温度为38~42℃,时间为20~26h;所述第二烘烤的温度为100~120℃,时间为10~14h;所述第三烘烤的温度为180~220℃,时间为10~14h。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述模具包括用于放置所述混合料的腔体。

8.根据权利要求1所述的一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述模具包括捣打装置,所述捣打装置包括:

本体,所述本体具有开口,所述本体内设有用于放置所述混合料的腔体;

至少部分伸入至所述钵体内的捣锤;

驱动机构,用于驱动所述捣锤相对于所述本体做往复运动。

9.根据权利要求8所述的一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述本体底部或/和外周设有用于固定的底座;所述本体内设有保温层。

10.根据权利要求8所述的一种碳化硅捣打料的成型方法,其特征在于,所述腔体和所述捣锤在所述捣打前涂覆一层植物油。

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