[发明专利]一种可调延时线芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种可调延时线芯片，其特征在于，包括：

基底层，具有一光刻面；

波导芯层，设于所述光刻面上，所述波导芯层内用以光波传播；

上包层，设于所述波导芯层的外侧面上，呈包覆所述波导芯层设置；以及，

温控层，设于所述上包层背向所述波导芯层的侧壁面上，所述温控层用以控制温度变化；

所述波导芯层的材料为含锗二氧化硅，所述上包层的材料为含硼磷二氧化硅材料，所述波导芯层的锗浓度呈大于所述上包层的硼磷浓度设置；

其中，所述波导芯层的折射率呈大于所述基底层和所述上包层的折射率设置；

所述温控层依次包括引线层以及电极层，所述电极层的材质为铬和金，铬用来增加金的附着性，所述引线层的材质为钨和钛，钛与二氧化硅具有较好的附着性，钨的电阻值较大，便于通电产热。

2.一种如权利要求1所述的可调延时线芯片的制作方法，其特征在于，所述可调延时线芯片的制作方法包括以下步骤：

在所述光刻面上沉积形成初始芯层；

通过光刻所述初始芯层得到所述波导芯层；

在所述波导芯层上沉积形成所述上包层；

在所述上包层背向所述波导芯层的侧壁面上镀膜形成所述温控层。

3.如权利要求2所述的可调延时线芯片的制作方法，其特征在于，所述通过光刻所述初始芯层得到所述波导芯层还包括以下步骤：

在所述初始芯层上设置掩膜层；

在所述掩膜层上涂设第一光刻胶层，并曝光显影，得到预设芯层图案；

根据所述预设芯层图案，刻蚀所述掩膜层，形成待刻蚀图案；

根据所述待刻蚀图案，刻蚀所述初始芯层，并去除所述掩膜层以及所述第一光刻胶层，得到所述波导芯层。

4.如权利要求2所述的可调延时线芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述上包层背向所述波导芯层的侧壁面上镀膜形成所述温控层还包括以下步骤：

在所述上包层背向所述波导芯层的侧壁面上涂设第二光刻胶层，并曝光显影，得到预设温控层图案；

根据所述预设温控层图案，在所述上包层的侧壁面上镀膜形成所述温控层。

5.如权利要求4所述的可调延时线芯片的制作方法，其特征在于，沿背向所述上包层的方向，所述温控层依次设置有引线层以及电极层；

所述根据所述预设温控层图案，在所述上包层的侧壁面上镀膜形成所述温控层还包括以下步骤：

根据所述预设温控层图案，在所述上包层的侧壁面上溅射所述引线层；

去除所述第二光刻胶层，涂设第三光刻胶层，并曝光显影，得到预设电极图案；

根据所述预设电极图案，蒸镀所述电极层；

剥离所述第三光刻胶层，以形成所述温控层。

6.如权利要求2所述的可调延时线芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述光刻面上沉积形成初始芯层还包括以下步骤：

在所述光刻面上，通过等离子体增强化学的气相沉积法形成所述初始芯层。