[发明专利]一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺

权利要求书

1.一种一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，包括：

在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，所述非晶硅生长窗口由所述硅波导区的上表面蚀刻形成；

在所述非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；

以波长为488nm的光辐照所述非晶硅生长窗口使所述非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。

2.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，所述非晶硅生长窗口位于所述硅波导区中间位置，所述非晶硅生长窗口的宽度小于所述硅波导区的宽度。

3.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，沿所述硅波导区的长度方向，所述非晶硅生长窗口呈线性阵列分布。

4.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，在所述非晶硅生长窗口中沉积非晶硅时，采用CVD法于150℃-350℃在所述非晶硅生长窗中淀积形成非晶硅薄膜。

5.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，以波长为488nm的光辐照所述非晶硅生长窗口时，采用波长为488nm的氩离子大功率激光器进行辐照。

6.根据权利要求5所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，以波长为488nm的光辐照所述非晶硅生长窗口时，采用波长为488nm的氩离子大功率激光器进行辐照，使所述非晶硅生长窗口中的非晶硅的温度超过1420k以对非晶硅进行退火。

7.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，所述非晶硅生长窗口的外形为矩形、圆形、菱形或长条形；其中，当所述非晶硅生长窗口的外形为长条形时，所述非晶硅生长窗口沿所述硅波导区的长度方向连续延伸呈长条状。

8.根据权利要求1所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，所述一阶电光效应硅调制器的制备工艺还包括：所述硅波导区的两侧均设置有slab区，两侧的所述slab区均与所述硅波导区相连；其中，两侧的所述slab区的厚度均小于所述硅波导区的厚度。

9.根据权利要求8所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺，其特征在于，两侧的所述slab区的厚度均为60nm，所述硅波导区的厚度为220nm。

10.一种一阶电光效应硅调制器，其特征在于，根据如权利要求1～9任一项所述的一阶电光效应硅调制器的制备工艺制备得到。