[发明专利]一种纳米金颗粒修饰的伪MOS生化分子传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于纳米金颗粒修饰的伪MOS生化分子传感器，其特征在于，包括衬底、氧化埋层、沟道、纳米金颗粒、生物分子或化学分子；衬底、氧化埋层和沟道共同组成伪MOS结构；所述纳米金颗粒通过电子束蒸发镀膜工艺修饰在伪MOS结构沟道表面，作为伪MOS结构沟道与生化分子或化学分子之间的“linker”；

所述伪MOS结构包括绝缘层上硅、绝缘层上锗或氧化层上多晶硅；

所述纳米金颗粒的尺寸为0.3nm至10nm之间。

2.如权利要求1所述的伪MOS生化分子传感器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

（1）采用电子束蒸发镀膜工艺在伪MOS结构沟道表面生长纳米金颗粒；

（2）将生长纳米金颗粒的伪MOS结构快速热退火；

（3）用浸没法修饰生物探针分子或化学分子；

步骤（1）中，所述纳米金颗粒的尺寸通过改变电子束蒸发镀膜时的蒸发速率、蒸发时间和最终厚度参数进行控制；具体控制：蒸发速率为0.01-0.3Å/s，蒸发时间为10s到3h，最终厚度为0.3-10nm；

步骤（2）中，退火时间为1min-30min，退火温度为100℃-300℃；

步骤（3）中，由纳米金颗粒捕获修饰或包含有硫醇基（-SH）或者氨基（-NH₂）的生化分子，形成Au-S键或者Au-N键，实现生化分子的在沟道表面的修饰；孵育温度在4-37℃之间，孵育时间为12-96h。

3.如权利要求1所述的生化分子传感器在检测核酸、蛋白、酶这些生物分子，以及无机小分子和有机小分子中的应用。