[发明专利]堆叠芯片的封装方法和封装结构在审
申请号: | 202110489628.2 | 申请日: | 2021-05-06 |
公开(公告)号: | CN112992696A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 蔡钟贤;吴品忠;朱锴越 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488;H01L25/18;H01L25/065 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 芯片 封装 方法 结构 | ||
1.一种堆叠芯片的封装方法,其特征在于,包括:
将至少一个第一芯片的功能面黏贴于设置有胶层的载板上;
将至少一个第二芯片的部分功能面分别黏贴于所述至少一个第一芯片的非功能面上,且所述第二芯片包括超出对应位置处的所述第一芯片的端部,所述端部的功能面上设置有导电柱,所述导电柱插入所述胶层内5-10微米;
在所述胶层设置有所述第一芯片和所述第二芯片一侧形成塑封层;
去除所述胶层和所述载板,所述第一芯片的功能面和所述导电柱从所述塑封层中露出。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述去除所述胶层和所述载板之后,还包括:
在所述第一芯片的功能面一侧形成第一介电层,所述第一介电层覆盖所有所述第一芯片的功能面和所有所述导电柱;
去除部分所述第一介电层,以使所述第一芯片的功能面上的焊盘和所有所述导电柱从所述第一介电层中露出;
在所述第一介电层上形成至少一层再布线层,所述再布线层与对应位置处的所述第一芯片的焊盘和所述导电柱电连接。
3.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述去除部分所述第一介电层,以使所述第一芯片的功能面上的焊盘和所有所述导电柱从所述第一介电层中露出的步骤,包括:
研磨所述第一介电层,直至所述导电柱与所述第一介电层齐平,所述导电柱从所述第一介电层中露出;
在所述第一介电层对应所述第一芯片的焊盘的位置形成第一开口,以使得所述第一芯片的焊盘从所述第一开口中露出。
4.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述在所述第一介电层上形成至少一层再布线层的步骤包括:
在所述第一介电层上形成第一再布线层,所述第一再布线层与对应位置处的所述第一芯片的焊盘和所述导电柱电连接;
在所述第一再布线层上形成第二介电层,所述第二介电层对应所述第一再布线层的位置设置有第二开口;
在所述第二介电层上形成第二再布线层,所述第二再布线层透过所述第二开口与所述第一再布线层电连接。
5.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述在所述第一介电层上形成至少一层再布线层的步骤之后,还包括:
在所述至少一层再布线层上形成第三介电层,所述第三介电层对应最远离所述第一芯片的再布线层的位置设置有第三开口;
在所述第三开口内设置焊球。
6.根据权利要求5所述的封装方法,其特征在于,所述第一芯片的个数为多个,所述在所述第三开口内设置焊球的步骤之后,还包括:
切割掉相邻所述第一芯片之间的塑封层和所有介电层,以获得包含单颗所述第一芯片的封装结构。
7.一种堆叠芯片的封装结构,其特征在于,由权利要求1-6中任一项所述的封装方法形成,包括:
层叠设置的第一芯片和第二芯片,且所述第二芯片的部分功能面与所述第一芯片的非功能面相互黏贴固定,所述第二芯片包括超出所述第一芯片的端部,所述端部的功能面上设置有导电柱,所述导电柱朝向所述第一芯片方向延伸,并超出所述第一芯片的功能面;
塑封层,覆盖所述第一芯片和所述第二芯片,且其靠近所述第一芯片的功能面的第一表面与所述第一芯片的功能面齐平;所述导电柱超出所述塑封层5-10微米。
8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,还包括:
第一介电层,覆盖所述第一表面以及部分所述第一芯片的功能面,所述第一芯片的功能面上的焊盘和所述导电柱从所述第一介电层中露出;
至少一层再布线层,位于所述第一介电层上,且与对应位置处的所述焊盘和所述导电柱电连接。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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