[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110482479.7 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113224168B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；
栅极层，形成于所述半导体层上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述主栅两侧的半导体层中分别形成有源极区和漏极区，所述扩展栅至少从所述主栅向所述源极区方向延伸；
体接触区，形成于所述源极区中，所述体接触区从所述源极区向所述漏极区方向延伸至靠近所述扩展栅的一侧与所述扩展栅在垂直所述SOI衬底方向上的投影接触；以及，
栅极离子掺杂区，形成于所述栅极层中，所述栅极离子掺杂区从所述扩展栅的靠近所述体接触区的一侧至少延伸至所述主栅中，且在所述源极区指向所述漏极区的方向上，所述体接触区与所述栅极离子掺杂区在垂直所述SOI衬底方向上的投影接触。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述扩展栅至少从所述主栅向所述源极区方向延伸包括：
所述扩展栅从所述主栅向所述源极区方向延伸，以使得所述栅极层的形状为T型；或者，所述扩展栅从所述主栅分别向所述源极区和所述漏极区方向延伸，以使得所述栅极层的形状为十字型。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，当所述扩展栅从所述主栅分别向所述源极区和所述漏极区方向延伸时，所述栅极离子掺杂区从所述源极区一侧的扩展栅延伸至所述漏极区一侧的扩展栅上。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘埋层上形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包围所述源极区和所述漏极区。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述主栅的两端延伸至所述浅沟槽隔离结构上。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极层与所述半导体层之间形成有栅介质层。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极区与所述漏极区的导电类型相同，所述体接触区与所述源极区的导电类型不同。
8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一SOI衬底，所述衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；
形成栅极层于所述半导体层上，所述栅极层包括主栅和扩展栅；
形成源极区和漏极区于所述主栅两侧的半导体层中，其中，所述扩展栅至少从所述主栅向所述源极区方向延伸；以及，
形成体接触区于所述源极区以及形成栅极离子掺杂区于所述栅极层中，且所述体接触区从所述源极区向所述漏极区方向延伸至靠近所述扩展栅的一侧与所述扩展栅在垂直所述SOI衬底方向上的投影接触，所述栅极离子掺杂区从所述扩展栅的靠近所述体接触区的一侧至少延伸至所述主栅中，且在所述源极区指向所述漏极区的方向上，所述体接触区与所述栅极离子掺杂区在垂直所述SOI衬底方向上的投影接触。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述扩展栅至少从所述主栅向所述源极区方向延伸包括：
所述扩展栅从所述主栅向所述源极区方向延伸，以使得所述栅极层的形状为T型；或者，所述扩展栅从所述主栅分别向所述源极区和所述漏极区方向延伸，以使得所述栅极层的形状为十字型。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，当所述扩展栅从所述主栅分别向所述源极区和所述漏极区方向延伸时，所述栅极离子掺杂区从所述源极区一侧的扩展栅延伸至所述漏极区一侧的扩展栅上。
11.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用同一道离子注入工艺同时形成所述体接触区与所述栅极离子掺杂区。
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