[发明专利]减轻相邻堆叠式半导体装置上的热冲击

说明书

本申请涉及减轻相邻堆叠式半导体装置上的热冲击。本文公开一种半导体装置组合件和相关联方法。所述半导体装置组合件包含(1)具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底；(2)处于所述衬底的所述第一侧的第一组堆叠式半导体装置；(3)邻近于所述第一组堆叠式半导体装置的一侧的第二组堆叠式半导体装置；(4)邻近于所述第一组堆叠式半导体装置的相对侧的第三组堆叠式半导体装置；以及(5)处于所述第二侧且与所述第二组堆叠式半导体装置对准的温度调节组件。所述温度调节组件被定位以吸收热能且借此使所述第二组堆叠式半导体装置与所述第一组堆叠式半导体装置热隔离。

技术领域

本技术涉及用于消除或至少减轻热处理对堆叠式半导体装置的热冲击的设备及方法。更具体地，本技术的一些实施例涉及用于减轻在热接合处理期间生成的对相邻堆叠式半导体装置的热冲击的设备和方法。

背景技术

包含存储器芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和成像器芯片的经封装和堆叠的半导体管芯通常包含安装在衬底上且封装在塑料保护性覆盖物中的半导体管芯。个别半导体管芯可包含功能特征，例如存储器单元、处理器电路、成像器装置和其它电路系统，以及电连接到所述功能特征的接合垫。半导体制造商不断减小管芯封装的尺寸以适应电子装置的空间限制。一种用于增加半导体封装的处理能力的方法是在单个封装中在彼此的顶部上垂直堆叠多个半导体管芯。可以使用热接合工艺连接多个半导体管芯，所述热接合工艺包含(i)将膜定位在这些半导体管芯中的两个之间，以及(ii)热固化该膜。

发明内容

在一方面，本申请提供一种半导体装置组合件，其包括：衬底，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一组堆叠式半导体装置，其处于所述衬底的所述第一侧；第二组堆叠式半导体装置，其邻近于所述第一组堆叠式半导体装置；以及其中温度调节组件位于所述衬底的所述第二侧且至少部分地与所述第二组堆叠式半导体装置对准，且其中所述温度调节组件被配置成吸收施加到所述第一组堆叠式半导体装置的热能的至少一部分，且借此抑制所述热能加热所述第二组堆叠式半导体装置。

在另一方面，本申请进一步提供一种用于管理热能的方法，其包括：从单独的热组件向半导体装置组合件的第一组堆叠式半导体装置施加热能；以及通过所述半导体装置组合件的温度调节组件吸收由所述热组件生成的热能的至少一部分，使得抑制所述热能的所述部分增加所述第二组堆叠式半导体装置的温度。

在又一方面，本申请进一步提供一种半导体装置组合件，其包括：衬底，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一组堆叠式半导体装置，其处于所述衬底的所述第一侧；第二组堆叠式半导体装置，其邻近于所述第一组堆叠式半导体装置的一侧；第三组堆叠式半导体装置，其邻近于所述第一组堆叠式半导体装置的相对侧；以及温度调节组件，其位于所述衬底的所述第二侧且至少部分地与所述第二组堆叠式半导体装置对准，所述温度调节组件相对于所述第二组堆叠式半导体装置而定位以吸收所述热能的至少一部分且借此使所述第二组堆叠式半导体装置与所述第一组堆叠式半导体装置至少部分地热隔离。

附图说明

参考以下附图可以更好地理解本技术的许多方面。附图中的组件不必按比例绘制。相反，重点在于说明本技术的原理。

图1A是根据本技术的实施例的半导体装置组合件的示意性截面图。

图1B是根据本技术的实施例的半导体装置组合件的示意性仰视图。

图2A至2C是根据本技术的实施例的半导体装置封装组合件的示意性仰视图。

图3是根据本技术的实施例的温度调节组件的示意性等距视图。

图4A和4B是根据本技术的实施例的半导体装置封装组合件的示意性截面图。

图5是示出结合了根据本技术的实施例的半导体组合件的系统的框图。

图6是示出根据本技术的实施例的方法的流程图。

具体实施方式