[发明专利]减轻相邻堆叠式半导体装置上的热冲击

权利要求书

1.一种半导体装置组合件，其包括：

衬底，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

第一组堆叠式半导体装置，其处于所述衬底的所述第一侧；

第二组堆叠式半导体装置，其邻近于所述第一组堆叠式半导体装置；以及

其中温度调节组件位于所述衬底的所述第二侧且至少部分地与所述第二组堆叠式半导体装置对准，且其中所述温度调节组件被配置成吸收施加到所述第一组堆叠式半导体装置的热能的至少一部分，且借此抑制所述热能加热所述第二组堆叠式半导体装置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述温度调节组件相对于所述第一堆叠式半导体装置和所述第二组堆叠式半导体装置而定位，以将所述第二组堆叠式半导体装置与所述第一组堆叠式半导体装置至少部分地热隔离。

3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述温度调节组件具有凹槽。

4.根据权利要求3所述的半导体装置组合件，其中所述凹槽邻近于所述第一组堆叠式半导体装置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述温度调节组件是环状物。

6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一组堆叠式半导体装置具有第一横向尺寸，且其中所述温度调节组件具有大于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸。

7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述温度调节组件具有边缘，且其中所述第二组堆叠式半导体装置具有侧面，且其中所述温度调节组件的所述边缘与所述第二组堆叠式半导体装置的所述侧面对准。

8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一组堆叠式半导体装置具有第一侧，且其中所述第二组堆叠式半导体装置具有第二侧，且其中所述第一侧和所述第二侧界定区域。

9.根据权利要求8所述的半导体装置组合件，其中所述温度调节组件在所述区域中。

10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述温度调节组件是主动冷却单元。

11.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述温度调节组件是被动冷却单元。

12.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述温度调节组件具有矩形环状。

13.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述温度调节组件被定位以吸收所述热能的所述部分。

14.一种用于管理热能的方法，其包括：

从单独的热组件向半导体装置组合件的第一组堆叠式半导体装置施加热能；以及

通过所述半导体装置组合件的温度调节组件吸收由所述热组件生成的热能的至少一部分，使得抑制所述热能的所述部分增加所述第二组堆叠式半导体装置的温度。

15.根据权利要求14所述的方法，其中将所述热能施加到第一组堆叠式半导体装置，使得固化所述第一组堆叠式半导体装置的管芯之间的可固化层。

16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括测量所述第一堆叠式半导体装置或所述第二组堆叠式半导体装置的温度。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

响应于测量的温度的变化，调节所述温度调节组件的温度。

18.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

响应于所述测量的温度的变化，调节所述热组件的温度。