[发明专利]氟碳/钯/镁-钪氢致变色薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110476304.5 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113215544B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 方浩澜;陈娟;彭立明;刘峻嘉;申炜;王廷炎;陈炎;崔元勋;董泽麟;管颖添;邓南香;丁文江 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/16;C23C16/30;C23C16/50;C23C28/00
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 氟碳 钪氢致 变色 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氟碳/钯/镁-钪的氢致变色薄膜,其特征在于,包括依次设置在基底上的镁-钪复合膜层、钯催化层和氟碳膜层;

所述镁-钪复合膜层中,钪的摩尔百分含量为31%;

所述镁-钪复合膜层的厚度为50 nm;所述钯催化层的厚度为3~7 nm;所述氟碳膜层的厚度为30~150 nm;

所述的氟碳/钯/镁-钪的氢致变色薄膜的制备方法,包括采用磁控溅射共溅射的方法在基底上生长镁-钪复合膜层,然后在镁-钪复合膜层上采用磁控溅射法制备钯催化层,最后在钯催化层表面采用等离子体气相沉积法制备氟碳膜的步骤;

所述方法具体包括以下步骤:

S1、用清洗液浸泡基底,然后冲洗基底;

S2、将冲洗好的基底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空;

S3、加热基底,通入工作气体A,并维持压强,待气压稳定后,开启钯靶、镁靶和钪靶的电源,关闭靶材前的挡板,预溅射清洗靶材;

S4、预溅射完毕后,开启镁靶和钪靶的挡板,载入共溅射工艺程序,沉积镁-钪复合膜层;

S5、经步骤S4沉积完毕后,在真空度保持不变的情况下,开启钯靶的挡板,载入钯催化层的溅射工艺程序,沉积钯催化层;

S6、经步骤S5沉积完毕后,关闭所有靶材的电源,继续用工作气体A吹洗样品,然后停止通入工作气体A,取出样品;

S7、将取出的样品放入反应离子式气相沉积机的反应室内,通入工作气体B,载入等离子气相沉积的工艺程序,在钯催化层表面沉积氟碳膜;沉积完毕后,取出样品,即得氟碳/钯/镁-钪的氢致变色薄膜;

步骤S4中,所述的共溅射工艺程序中,采用的镁靶、钪靶的溅射功率分别为40W、200W,共溅射时间为60s。

2.根据权利要求1所述的氟碳/钯/镁-钪的氢致变色薄膜,其特征在于,所述基底包括石英玻璃、光导纤维、导电玻璃、有机玻璃、柔性玻璃中的任意一种。

3.一种根据权利要求1-2任一项所述的氟碳/钯/镁-钪的氢致变色薄膜的制备方法,其特征在于,包括采用磁控溅射共溅射的方法在基底上生长镁-钪复合膜层,然后在镁-钪复合膜层上采用磁控溅射法制备钯催化层,最后在钯催化层表面采用等离子体气相沉积法制备氟碳膜的步骤;

所述方法具体包括以下步骤:

S1、用清洗液浸泡基底,然后冲洗基底;

S2、将冲洗好的基底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空;

S3、加热基底,通入工作气体A,并维持压强,待气压稳定后,开启钯靶、镁靶和钪靶的电源,关闭靶材前的挡板,预溅射清洗靶材;

S4、预溅射完毕后,开启镁靶和钪靶的挡板,载入共溅射工艺程序,沉积镁-钪复合膜层;

S5、经步骤S4沉积完毕后,在真空度保持不变的情况下,开启钯靶的挡板,载入钯催化层的溅射工艺程序,沉积钯催化层;

S6、经步骤S5沉积完毕后,关闭所有靶材的电源,继续用工作气体A吹洗样品,然后停止通入工作气体A,取出样品;

S7、将取出的样品放入反应离子式气相沉积机的反应室内,通入工作气体B,载入等离子气相沉积的工艺程序,在钯催化层表面沉积氟碳膜;沉积完毕后,取出样品,即得氟碳/钯/镁-钪的氢致变色薄膜。

4.根据权利要求3所述的氟碳/钯/镁-钪的氢致变色薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述的清洗液为浓硫酸和双氧水的混合溶液,体积比例为3:1。

5.根据权利要求3所述的氟碳/钯/镁-钪的氢致变色薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S3中,所述的工作气体A为氩气;所述抽真空至背景真空度为8×10-4~ 9×10-5Pa;

步骤S3中,所述基底温度加热至20~25℃,所述维持压强为0.4~0.6Pa;所述预溅射时间为5~20min。

6.根据权利要求3所述的氟碳/钯/镁-钪的氢致变色薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S4中,所述的共溅射工艺程序中,采用的镁靶、钪靶的溅射功率分别为40W、200W,共溅射时间为60s。

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