[发明专利]一种高选择性氢气气体传感器用多孔纳米复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高选择性氢气气体传感器用多孔纳米复合材料，其特征在于，所述材料为SnO₂-Pd@rGO复合材料，形貌呈多孔球状；其制备方法包括如下步骤：

1）将葡萄糖溶于去离子水中，搅拌后装入反应釜，将反应釜置于烘箱中，160-220℃下水热反应5-7 h，将水热反应后的产物分离、洗涤；

2）将1）得到的产物、SnCl₄和PVP加入甲醇中，搅拌后装入反应釜，将反应釜置于烘箱中，160-220℃下水热反应2-4 h，将水热反应后的产物分离、洗涤；

3）将2）得到的产物、PdCl₂ 和GO水溶液加入乙醇中，搅拌后将产物分离、洗涤、烘干；

4）将烘干后的产物进行高温热处理再结晶；高温热处理的温度为500-600℃；

5）将结晶后的产物再在氢氩气氛下热处理还原，最终获得SnO₂-Pd@rGO复合材料。

2.根据权利要求1所述的高选择性氢气气体传感器用多孔纳米复合材料，其特征在于，所述的多孔球为空心球，直径为100-200nm。

3.根据权利要求1所述的高选择性氢气气体传感器用多孔纳米复合材料，其特征在于，所述的步骤2）中SnCl₄和PVP的质量比为1：2~1：1。

4.根据权利要求1所述的高选择性氢气气体传感器用多孔纳米复合材料，其特征在于，所述的步骤2）中水热反应的温度为170-180℃。

5.根据权利要求1所述的高选择性氢气气体传感器用多孔纳米复合材料，其特征在于，所述的步骤4）中高温热处理时间为2-4 h。

6.根据权利要求1所述的高选择性氢气气体传感器用多孔纳米复合材料，其特征在于，所述的步骤4）中高温热处理的温度为500-550℃。

7.根据权利要求1所述的高选择性氢气气体传感器用多孔纳米复合材料，其特征在于，所述的步骤5）中热处理还原的温度为200-300℃，热处理时间为1-3 h。