[发明专利]一种改善Eflash Cell区字线顶部氧化层被损坏的方法

说明书

本发明提供一种改善Eflash Cell区字线顶部氧化层被损坏的方法，硅基底上cell区的一侧设有外围区；cell区设有多个相互间隔的浮栅多晶硅结构，浮栅多晶硅结构被PEOX层覆盖；PEOX层被TEOS层覆盖；覆盖在每个浮栅多晶硅结构上的TEOS层彼此之间的空隙形成沟槽；外围区设有多晶硅层、位于多晶硅层上的PEOX层以及位于PEOX层上的TEOS层；在cell区和外围区形成覆盖TEOS层的第一BARC层；第一BARC层填充于cell区之间的沟槽；刻蚀第一BARC层，直至cell区之间的沟槽中的第一BARC层的厚度为为止；在cell区和外围区先后形成第二BARC层和光刻胶；对外围区进行光刻形成栅极。本发明可改善字线顶部被损坏的风险，使得多晶硅刻蚀后字线上氧化层作为保护层，其厚度对于刻蚀外围区更安全。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善Eflash Cell区字线顶部氧化层被损坏的方法。

背景技术

在55Eflash栅极多晶硅刻蚀(Gate Poly Etch)前旋涂Barc和光阻PR时，由于CELL区高度高于外围区域，且CELL区边缘旁边没有dummy line，导致旋涂的BARC和光阻PR在CELL区薄于外围区，cell阵列(CELL ARRAY)最边缘5根字线(word line)上会更差，最坏的情况上面基本没有BARC，光阻PR与BARC厚度较外围区相差1400A。

刻蚀时必须以光阻PR最厚的外围区为刻蚀基准，但是结构带来的光阻PR厚度差异，导致硬掩膜HM打开过程中，光阻保留不足导致字线Word line上的氧化层会损失，对于后续的层有较大的影响，使得字线多晶硅保护不足，容易被刻穿。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善Eflash Cell区字线顶部氧化层被损坏的方法，用于解决现有技术中Eflash栅极多晶硅刻蚀过程中由于光阻保留不足导致字线上的氧化层损失的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善Eflash Cell区字线顶部氧化层被损坏的方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供硅基底，所述硅基底上设有cell区；所述cell区的一侧设有与其相邻的外围区；所述cell区设有多个相互间隔的浮栅多晶硅结构，所述浮栅多晶硅结构被PEOX层覆盖；所述PEOX层被TEOS层覆盖；覆盖在每个所述浮栅多晶硅结构上的所述TEOS层与其相邻的所述浮栅多晶硅结构上的所述TEOS层彼此之间的空隙形成沟槽；所述外围区设有多晶硅层、位于所述多晶硅层上的PEOX层以及位于所述PEOX层上的TEOS层；

步骤二、在所述cell区和所述外围区形成覆盖所述TEOS层的第一BARC层；所述第一BARC层填充于所述cell区之间的沟槽；

步骤三、刻蚀所述第一BARC层，直至所述cell区之间的沟槽中的所述第一BARC层的厚度为为止；

步骤四、在所述cell区和所述外围区形成第二BARC层；

步骤五、在所述第二BARC层上覆盖光刻胶；

步骤六、对所述外围区进行光刻形成栅极。

优选地，步骤一中的所述浮栅多晶硅结构顶部与所述PEOX层之间设有氧化层。

优选地，步骤一中的所述PEOX层的厚度为

优选地，步骤一中的所述TEOS层的厚度为

优选地，步骤一中cell区的所述PEOX层与所述外围区的所述PEOX层由同一道工艺形成。

优选地，步骤一中的所述TEOS层与所述外围区的所述TEOS层由同一道工艺形成。

优选地，步骤一中所述cell区的所述TEOS层的上表面高于所述外围区的所述TEOS层的上表面。